半导体存储装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110102221.X

申请日：

2021-01-26

公开(公告)号：

CN113690243A

公开(公告)日：

2021-11-23

发明(设计)人：

满野阳介滨田龙文五月女真一九鬼知博

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2711568

IPC分类号：

H01L2711582 H01L2711521 H01L2711556

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

杨林勳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-23	公开	公开
2021-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11568 申请日:20210126

共 50 条

[1]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

满野阳介 ;

滨田龙文 ;

五月女真一 ;

九鬼知博 .

日本专利 :CN113690243B ,2024-03-08

[2]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

小池正浩 ;

新宫昌生 ;

市川真也 .

中国专利 :CN115117074A ,2022-09-27

[3]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

泽敬一 ;

竹本智幸 ;

神谷优太 ;

山下博幸 ;

斋藤雄太 ;

矶贝达典 .

日本专利 :CN117641919A ,2024-03-01

[4]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

斋藤雄太 ;

森伸二 ;

高桥笃史 ;

柳瀬俊晃 ;

泽敬一 ;

松尾和展 ;

山下博幸 .

中国专利 :CN112216701A ,2021-01-12

[5]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

斋藤雄太 ;

森伸二 ;

高桥笃史 ;

柳瀬俊晃 ;

泽敬一 ;

松尾和展 ;

山下博幸 .

日本专利 :CN112216701B ,2024-01-26

[6]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

井野光能 .

中国专利 :CN115117075A ,2022-09-27

[7]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

马场康幸 .

中国专利 :CN107017260B ,2017-08-04

[8]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

金山纯一 ;

矶贝达典 .

日本专利 :CN120187024A ,2025-06-20

[9]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

桥爪贵彦 ;

高桥信义 ;

吉田幸司 ;

高桥桂太 ;

栗原清志 ;

守山善也 .

中国专利 :CN1964052B ,2007-05-16

[10]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

大岛康礼 .

中国专利 :CN112510051A ,2021-03-16

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