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无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202011196327.2
申请日
:
2020-10-30
公开(公告)号
:
CN112117269A
公开(公告)日
:
2020-12-22
发明(设计)人
:
朱天志
黄冠群
陈昊瑜
邵华
申请人
:
申请人地址
:
201315 上海市浦东新区良腾路6号
IPC主分类号
:
H01L2702
IPC分类号
:
H01L218228
代理机构
:
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
:
曹廷廷
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-01-08
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20201030
2020-12-22
公开
公开
共 50 条
[1]
无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法
[P].
朱天志
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华力微电子有限公司
上海华力微电子有限公司
朱天志
;
黄冠群
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海华力微电子有限公司
上海华力微电子有限公司
黄冠群
;
陈昊瑜
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海华力微电子有限公司
上海华力微电子有限公司
陈昊瑜
;
邵华
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海华力微电子有限公司
上海华力微电子有限公司
邵华
.
中国专利
:CN112117269B
,2024-06-28
[2]
无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法
[P].
朱天志
论文数:
0
引用数:
0
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0
朱天志
.
中国专利
:CN108091650B
,2018-05-29
[3]
无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法
[P].
朱天志
论文数:
0
引用数:
0
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0
朱天志
.
中国专利
:CN108183101B
,2018-06-19
[4]
无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法
[P].
朱天志
论文数:
0
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0
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0
朱天志
;
黄冠群
论文数:
0
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黄冠群
;
陈昊瑜
论文数:
0
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0
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0
陈昊瑜
;
邵华
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0
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0
邵华
.
中国专利
:CN112086451A
,2020-12-15
[5]
无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法
[P].
朱天志
论文数:
0
引用数:
0
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0
朱天志
.
中国专利
:CN110649016A
,2020-01-03
[6]
一种新型硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法
[P].
朱天志
论文数:
0
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0
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0
朱天志
.
中国专利
:CN107369682B
,2017-11-21
[7]
硅控整流器型ESD保护结构及实现方法
[P].
朱天志
论文数:
0
引用数:
0
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0
朱天志
.
中国专利
:CN109037203A
,2018-12-18
[8]
一种新型硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法
[P].
朱天志
论文数:
0
引用数:
0
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0
朱天志
.
中国专利
:CN107564906B
,2018-01-09
[9]
硅控整流器ESD保护结构
[P].
邓樟鹏
论文数:
0
引用数:
0
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0
邓樟鹏
.
中国专利
:CN104332467A
,2015-02-04
[10]
一种内嵌硅控整流器的PMOS型ESD器件及其实现方法
[P].
朱天志
论文数:
0
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0
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朱天志
;
黄冠群
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0
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0
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黄冠群
;
陈昊瑜
论文数:
0
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陈昊瑜
;
邵华
论文数:
0
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0
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0
邵华
.
中国专利
:CN113013157A
,2021-06-22
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