无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202011196327.2
申请日
2020-10-30
公开(公告)号
CN112117269A
公开(公告)日
2020-12-22
发明(设计)人
朱天志 黄冠群 陈昊瑜 邵华
申请人
申请人地址
201315 上海市浦东新区良腾路6号
IPC主分类号
H01L2702
IPC分类号
H01L218228
代理机构
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
曹廷廷
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法 [P]. 
朱天志 ;
黄冠群 ;
陈昊瑜 ;
邵华 .
中国专利 :CN112117269B ,2024-06-28
[2]
无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法 [P]. 
朱天志 .
中国专利 :CN108091650B ,2018-05-29
[3]
无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法 [P]. 
朱天志 .
中国专利 :CN108183101B ,2018-06-19
[4]
无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法 [P]. 
朱天志 ;
黄冠群 ;
陈昊瑜 ;
邵华 .
中国专利 :CN112086451A ,2020-12-15
[5]
无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法 [P]. 
朱天志 .
中国专利 :CN110649016A ,2020-01-03
[6]
一种新型硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法 [P]. 
朱天志 .
中国专利 :CN107369682B ,2017-11-21
[7]
硅控整流器型ESD保护结构及实现方法 [P]. 
朱天志 .
中国专利 :CN109037203A ,2018-12-18
[8]
一种新型硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法 [P]. 
朱天志 .
中国专利 :CN107564906B ,2018-01-09
[9]
硅控整流器ESD保护结构 [P]. 
邓樟鹏 .
中国专利 :CN104332467A ,2015-02-04
[10]
一种内嵌硅控整流器的PMOS型ESD器件及其实现方法 [P]. 
朱天志 ;
黄冠群 ;
陈昊瑜 ;
邵华 .
中国专利 :CN113013157A ,2021-06-22