一种羟基氧化铁纳米片阵列的合成方法

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专利类型
发明
申请号
CN202010098536.7
申请日
2020-02-18
公开(公告)号
CN111268740A
公开(公告)日
2020-06-12
发明(设计)人
杜洪方 艾伟 王珂 何松
申请人
申请人地址
710072 陕西省西安市友谊西路127号
IPC主分类号
C01G4902
IPC分类号
B82Y4000
代理机构
西北工业大学专利中心 61204
代理人
王鲜凯
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种二维羟基氧化铁纳米片的制备方法 [P]. 
蒋登辉 ;
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荆辉华 .
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[2]
纳米羟基氧化铁及其制备方法 [P]. 
康升红 ;
汪国忠 ;
方明 ;
刘毛 ;
王慧敏 ;
邓泉 .
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[3]
一种羟基氧化铁纳米片的制备方法及其产物 [P]. 
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孙小磊 ;
杨永荣 ;
沈鸽 ;
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[4]
一种羟基氧化铁和氧化铁纳米材料的制备方法 [P]. 
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董玉明 ;
王光丽 ;
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[5]
一种纳米α-羟基氧化铁的制备方法 [P]. 
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毕秦岭 ;
赵建宏 ;
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[6]
羟基氧化铁纳米分散液 [P]. 
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[7]
核壳结构纳米磁性羟基氧化铁臭氧催化剂的合成方法 [P]. 
袁磊 ;
倪红伟 ;
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沈吉敏 ;
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王立民 ;
吕品 .
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[8]
一种羟基氧化铁纳米阵列及其制备方法和应用 [P]. 
鲁望婷 ;
黄颖 ;
孙依妮 ;
梁思雨 ;
李雯慧 ;
魏锋 .
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[9]
一种羟基氧化铁的制备方法及其应用 [P]. 
江莉龙 ;
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曹彦宁 ;
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[10]
一种氧化铁及其合成方法 [P]. 
范峰 ;
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