一种MOS开关吸收电路、系统及尖峰电压吸收方法

被引:0
申请号
CN202011129949.3
申请日
2020-10-21
公开(公告)号
CN114389442A
公开(公告)日
2022-04-22
发明(设计)人
陈睿 赵振江 靳本豪 李诚 孙哲锋 朱配清 王烨 李侃 赵学荟 胡立庆
申请人
申请人地址
100074 北京市丰台区海鹰路1号院2号楼3层
IPC主分类号
H02M132
IPC分类号
H02M108
代理机构
代理人
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
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