用于汞离子检测的金纳米带适体传感器的制备及检测方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910214293.6

申请日：

2019-03-20

公开(公告)号：

CN110044983A

公开(公告)日：

2019-07-23

发明(设计)人：

王平甘颖孙嘉弟梁韬屠佳伟周书祺王心怡万浩胡宁

申请人：

申请人地址：

310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

G01N2730

IPC分类号：

G01N27416

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司 33200

代理人：

刘静;邱启旺

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-04	授权	授权
2019-07-23	公开	公开
2019-08-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 27/30 申请日:20190320

共 50 条

[1]

用于汞离子检测的传感器的制备方法和应用 [P].

夏云生 ;

张慧 ;

鹿淋淋 ;

顾文亮 ;

赵燕 ;

陈露 ;

宫素芹 .

中国专利 :CN105181617B ,2015-12-23

[2]

金纳米生物传感器及其制备方法和在汞离子检测中的应用 [P].

王公轲 ;

王双莉 ;

侯慧敏 ;

闫长领 ;

陈得军 .

中国专利 :CN107815304A ,2018-03-20

[3]

汞离子检测电化学传感器及其制备方法与汞离子检测方法 [P].

巨晓洁 ;

黄芳艳 ;

周兴龙 ;

褚良银 ;

刘壮 ;

汪伟 ;

谢锐 ;

潘大伟 ;

邓宇超 .

中国专利 :CN120820613B ,2025-11-21

[4]

汞离子检测电化学传感器及其制备方法与汞离子检测方法 [P].

巨晓洁 ;

黄芳艳 ;

周兴龙 ;

褚良银 ;

刘壮 ;

汪伟 ;

谢锐 ;

潘大伟 ;

邓宇超 .

中国专利 :CN120820613A ,2025-10-21

[5]

纳米复合材料ZnO‑CdS‑GO的制备方法及利用其构建传感器检测汞离子的方法 [P].

张冰 ;

孟红云 ;

王雪 ;

常宏宏 ;

李兴 ;

高文超 ;

魏文珑 .

中国专利 :CN106353377A ,2017-01-25

[6]

用于汞离子检测的荧光化学传感器及制备和应用方法 [P].

梅群波 ;

王玲霞 ;

黄维 ;

郭远辉 ;

颜芳 ;

田波 .

中国专利 :CN102516994A ,2012-06-27

[7]

一种用于汞离子检测的SERS传感器及其制备和检测方法 [P].

宋春元 ;

汪联辉 ;

杨博玥 ;

杨琰君 .

中国专利 :CN105699355A ,2016-06-22

[8]

一种纳米金比色传感器的制备方法及其在二价汞离子检测中的应用 [P].

赵鹏翔 ;

黄德顺 ;

魏建宇 ;

岳国宗 ;

朱婧 ;

王玥 ;

杨晓娇 .

中国专利 :CN107153059A ,2017-09-12

[9]

一种用于汞离子检测的电化学传感器及制作方法和检测方法 [P].

娄新徽 ;

赵滔 .

中国专利 :CN103105424A ,2013-05-15

[10]

一种用于汞离子检测的光电化学传感器的构建方法 [P].

李静 ;

李红波 ;

王伟 ;

高雷 ;

李威 .

中国专利 :CN103344685B ,2013-10-09

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