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三状态一次可编程存储器元件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN200710149390.9
申请日：
2007-09-12
公开(公告)号：
CN101154466A
公开(公告)日：
2008-04-02
发明(设计)人：
胡永中
张育诚
戴嵩山
申请人：
申请人地址：
百慕大哈密尔敦维多利亚街22号佳能院
IPC主分类号：
G11C1716
IPC分类号：
H01L27115
代理机构：
上海新天专利代理有限公司
代理人：
王敏杰
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2008-04-02 | 公开 | 公开 |
| 2009-01-21 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |
| 2020-01-03 | 专利权质押合同登记的生效、变更及注销 | 专利权质押合同登记的生效 IPC(主分类):G11C 17/16 登记号:Y2019500000007 登记生效日:20191210 出质人:重庆万国半导体科技有限公司 质权人:国家开发银行重庆市分行 发明名称:用于探测三种状态的一次可编程存储器件及其制造方法 申请日:20070912 授权公告日:20111221 |
| 2016-11-02 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101740988822 IPC(主分类):G11C 17/16 专利号:ZL2007101493909 登记生效日:20161012 变更事项:专利权人 变更前权利人:万国半导体股份有限公司 变更后权利人:重庆万国半导体科技有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:百慕大哈密尔敦维多利亚街22号佳能院 变更后权利人:400700 重庆市北碚区水土高新技术产业园云汉大道5号附407 |