一种多孔四氧化三钴纳米带的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201410133891.8
申请日
2014-04-04
公开(公告)号
CN103922425A
公开(公告)日
2014-07-16
发明(设计)人
刘爱凤 车红卫
申请人
申请人地址
056038 河北省邯郸市邯山区光明南大街199号
IPC主分类号
C01G5104
IPC分类号
B82Y3000 B82Y4000
代理机构
北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350
代理人
汤东凤
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种单层多孔四氧化三钴纳米片的制备方法 [P]. 
梁汉璞 ;
杜健 ;
李超 .
中国专利 :CN109534410A ,2019-03-29
[2]
一种多孔四氧化三钴的制备方法及其应用 [P]. 
李丽 ;
曹丙强 ;
张子超 .
中国专利 :CN105870439A ,2016-08-17
[3]
多孔四氧化三钴及其制备方法 [P]. 
周兴 ;
宋冠宇 ;
沈伟 ;
李珅 .
中国专利 :CN105110384B ,2015-12-02
[4]
一种多孔四氧化三钴纳米片的制备方法 [P]. 
程继鹏 ;
吴勇军 ;
翁永堂 .
中国专利 :CN106315690A ,2017-01-11
[5]
四氧化三钴多孔纳米片的制备方法 [P]. 
耿保友 ;
詹方明 .
中国专利 :CN101503219B ,2009-08-12
[6]
一种四氧化三钴纳米球的制备方法 [P]. 
李辉 ;
封波 ;
王萌 ;
李远华 ;
韩昕宸 ;
蓝梓桀 ;
顾华军 .
中国专利 :CN108383172A ,2018-08-10
[7]
一种四氧化三钴纳米颗粒的制备方法 [P]. 
刘和光 ;
武少卿 ;
田娜 ;
赵娜娜 .
中国专利 :CN112479265A ,2021-03-12
[8]
一种多孔纳米四氧化三钴的制备方法及其应用 [P]. 
曾寒轩 ;
朱浩 ;
邓靖 ;
马晓雁 ;
朱世俊 .
中国专利 :CN114835171B ,2024-07-30
[9]
一种多孔纳米四氧化三钴的制备方法及其应用 [P]. 
曾寒轩 ;
朱浩 ;
邓靖 ;
马晓雁 ;
朱世俊 .
中国专利 :CN114835171A ,2022-08-02
[10]
一种空心四氧化三钴微球的制备方法 [P]. 
李国栋 ;
赵君 ;
刘一蒲 ;
周丽景 .
中国专利 :CN103771544B ,2014-05-07