一种高灵敏度单芯片推挽式TMR磁场传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510736394.1

申请日：

2015-11-03

公开(公告)号：

CN105259518A

公开(公告)日：

2016-01-20

发明(设计)人：

詹姆斯·G·迪克周志敏

申请人：

申请人地址：

215634 江苏省苏州市张家港保税区广东路7号

IPC主分类号：

G01R3304

IPC分类号：

代理机构：

广州三环专利代理有限公司 44202

代理人：

郝传鑫

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-02-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101646915198 IPC(主分类):G01R 33/04 专利申请号:2015107363941 申请日:20151103
2016-01-20	公开	公开
2019-10-15	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G01R 33/04 申请公布日:20160120

共 50 条

[1]

一种高灵敏度单芯片推挽式TMR磁场传感器 [P].

詹姆斯·G·迪克 ;

周志敏 .

中国专利 :CN205353331U ,2016-06-29

[2]

一种单芯片高灵敏度磁电阻线性传感器 [P].

詹姆斯·G·迪克 ;

周志敏 .

中国专利 :CN107064829A ,2017-08-18

[3]

一种单芯片高灵敏度磁电阻线性传感器 [P].

詹姆斯·G·迪克 ;

周志敏 .

中国专利 :CN207181652U ,2018-04-03

[4]

高灵敏度TMR磁性传感器 [P].

胡志清 ;

王勇鸿 ;

毛明 ;

D·毛里 ;

姜明 .

美国专利 :CN113167845B ,2024-06-21

[5]

单芯片推挽桥式磁场传感器 [P].

詹姆斯·G·迪克 .

中国专利 :CN203587785U ,2014-05-07

[6]

单芯片推挽桥式磁场传感器 [P].

詹姆斯·G·迪克 .

中国专利 :CN103412269B ,2013-11-27

[7]

高灵敏度TMR磁性传感器 [P].

胡志清 ;

王勇鸿 ;

毛明 ;

D·毛里 ;

姜明 .

中国专利 :CN113167845A ,2021-07-23

[8]

一种高灵敏度推挽桥式磁传感器 [P].

詹姆斯·G·迪克 ;

李丹 .

中国专利 :CN103630855A ,2014-03-12

[9]

一种高灵敏度推挽桥式磁传感器 [P].

詹姆斯·G·迪克 ;

李丹 .

中国专利 :CN203658562U ,2014-06-18

[10]

一种全向高灵敏度磁场传感器 [P].

金湾湾 ;

魏世乐 ;

夏靖 ;

刘钢 ;

卢骞 ;

冯昆 ;

涂修德 ;

许荣彧 ;

阎毓杰 ;

杨华荣 ;

李小军 ;

李宏建 ;

钱自勇 ;

周畅 .

中国专利 :CN120742195A ,2025-10-03

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