一种p型半导体纳米材料CuxSe/TiO2纳米管阵列制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010213763.6

申请日：

2010-06-30

公开(公告)号：

CN101871117B

公开(公告)日：

2010-10-27

发明(设计)人：

罗胜联杨丽霞李玥刘承斌

申请人：

申请人地址：

410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南路2号

IPC主分类号：

C25D1126

IPC分类号：

H01L3118 H01L310264

代理机构：

长沙市融智专利事务所 43114

代理人：

颜勇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-23	授权	授权
2014-08-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101584483042 IPC(主分类):C25D 11/26 专利号:ZL2010102137636 申请日:20100630 授权公告日:20111123 终止日期:20130630
2010-10-27	公开	公开
2010-12-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101021884905 IPC(主分类):C25D 11/26 专利申请号:2010102137636 申请日:20100630

共 50 条

[1]

一种Cu2O/TiO2纳米管阵列及其制备方法 [P].

罗胜联 ;

杨丽霞 ;

李玥 ;

刘承斌 .

中国专利 :CN101851772B ,2010-10-06

[2]

一种Bi2S3/TiO2纳米管阵列及其制备方法 [P].

罗胜联 ;

杨丽霞 ;

苏芳 ;

刘承斌 .

中国专利 :CN101851773B ,2010-10-06

[3]

一种CuO/TiO2纳米管阵列及其制备和应用方法 [P].

罗胜联 ;

苏芳 ;

刘承斌 ;

刘选能 .

中国专利 :CN102249183B ,2011-11-23

[4]

TiO2纳米管阵列的制备方法 [P].

程萍 ;

邓长生 ;

戴遐明 ;

朱斌 ;

李冰 .

中国专利 :CN100534910C ,2007-09-12

[5]

一种新型分级TiO2纳米管阵列的制备方法 [P].

吴克跃 ;

傅绪成 .

中国专利 :CN105088300A ,2015-11-25

[6]

一种复合纳米材料MoS2/TiO2纳米管阵列的制备方法及其应用 [P].

李玥 ;

赵龙涛 ;

高风仙 ;

叶英杰 ;

刘建 ;

陶雁忠 .

中国专利 :CN105442012A ,2016-03-30

[7]

TiO2纳米管阵列工作电极的制备方法 [P].

王尚华 ;

林原 ;

周晓文 ;

张敬波 ;

肖绪瑞 .

中国专利 :CN102768904A ,2012-11-07

[8]

一种TiO2纳米颗粒/TiO2纳米管阵列及其应用 [P].

武凯 .

中国专利 :CN103285843B ,2013-09-11

[9]

半导体改性的TiO2纳米管阵列复合材料及其制备方法 [P].

顾艳红 ;

郑新华 ;

罗彦 .

中国专利 :CN109055919A ,2018-12-21

[10]

一种同质纳米晶修饰TiO2纳米管阵列及其制备方法 [P].

徐光青 ;

王金文 ;

张旭 ;

吕珺 ;

吴玉程 .

中国专利 :CN105063719B ,2015-11-18

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