一种中空二氧化硅填充改性聚氨酯膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811162247.8

申请日：

2018-09-30

公开(公告)号：

CN109200832A

公开(公告)日：

2019-01-15

发明(设计)人：

叶宏吴奕辰董纯瑄李双阳霍朝伟

申请人：

申请人地址：

100048 北京市海淀区阜成路33号

IPC主分类号：

B01D6700

IPC分类号：

B01D7154

代理机构：

北京市广友专利事务所有限责任公司 11237

代理人：

耿小强

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-02-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B01D 67/00 申请日:20180930
2019-01-15	公开	公开
2021-09-28	授权	授权

共 50 条

[1]

一种填充改性聚氨酯膜及其制备方法 [P].

叶宏 ;

董纯瑄 ;

吴奕辰 ;

王澍 .

中国专利 :CN109126485B ,2019-01-04

[2]

中空二氧化硅粒子及其制备方法 [P].

马修·大卫·巴茨 ;

萨拉·伊丽莎白·吉诺维斯 ;

保罗·伯切尔·格拉泽 ;

达里尔·斯蒂芬·威廉姆斯 .

中国专利 :CN101282907A ,2008-10-08

[3]

单填充型的改性二氧化硅膜及其制备方法 [P].

小堀重人 .

中国专利 :CN104130600A ,2014-11-05

[4]

一种纳米二氧化硅改性聚氨酯弹性体及其制备方法 [P].

张建安 ;

祁增荣 ;

杨建军 ;

吴庆云 ;

吴明元 .

中国专利 :CN103980697A ,2014-08-13

[5]

中空二氧化硅粒子 [P].

藤冈正成 ;

福田健太郎 .

日本专利 :CN120936573A ,2025-11-11

[6]

中空二氧化硅颗粒及中空二氧化硅颗粒的制造方法 [P].

松原俊哉 ;

金贤枝 ;

片山肇 ;

荒井雄介 .

日本专利 :CN118145659A ,2024-06-07

[7]

中空二氧化硅微球及其制备方法 [P].

苏宏久 ;

雒睿雯 ;

徐翰琦 ;

宋平 ;

杜辛 ;

杜全心 .

中国专利 :CN119612526A ,2025-03-14

[8]

中空二氧化硅颗粒及中空二氧化硅颗粒的制造方法 [P].

松原俊哉 ;

金贤枝 ;

片山肇 ;

荒井雄介 .

日本专利 :CN115210179B ,2024-03-29

[9]

中空二氧化硅微球及其制备方法 [P].

苏宏久 ;

雒睿雯 ;

李德翔 ;

徐翰琦 ;

揭辉 ;

陈伟琴 .

中国专利 :CN119612527A ,2025-03-14

[10]

中空二氧化硅纳米球及其制备方法 [P].

杜滨阳 ;

曹峥 ;

李镇冰 ;

梅爱雄 ;

张兴宏 ;

聂晶晶 ;

徐君庭 ;

范志强 .

中国专利 :CN101559950B ,2009-10-21

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