一种铜铟硫纳米薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910325836.1

申请日：

2019-04-22

公开(公告)号：

CN110148523A

公开(公告)日：

2019-08-20

发明(设计)人：

密保秀许颂程娜高志强

申请人：

申请人地址：

210003 江苏省南京市鼓楼区新模范马路66号

IPC主分类号：

H01G920

IPC分类号：

代理机构：

南京苏科专利代理有限责任公司 32102

代理人：

陈望坡;姚姣阳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01G 9/20 申请日:20190422
2019-08-20	公开	公开
2021-03-30	授权	授权

共 50 条

[1]

一种制备铜铟硫薄膜的方法 [P].

汪雷 ;

刘红娟 ;

盛夏 ;

陈官壁 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN101603189A ,2009-12-16

[2]

一种铜铟硫纳米材料的简易制备方法 [P].

徐伟 ;

夏鹏 .

中国专利 :CN108249475A ,2018-07-06

[3]

类石墨烯结构铜铟硫纳米片阵列薄膜的制备方法 [P].

毕恩兵 ;

陈汉 ;

韩礼元 .

中国专利 :CN103819099A ,2014-05-28

[4]

铜铟硫半导体纳米粒子的制备方法 [P].

钟海政 ;

李永舫 .

中国专利 :CN101234779A ,2008-08-06

[5]

一种由硫脲制备铜铟硫光电薄膜的方法 [P].

刘科高 ;

崔培波 ;

徐勇 ;

于刘洋 ;

石磊 .

中国专利 :CN105932109A ,2016-09-07

[6]

一种介孔结构铜铟硫光电薄膜及其制备方法 [P].

陈冲 ;

黎春喜 ;

李福民 ;

翟勇 .

中国专利 :CN104638035B ,2015-05-20

[7]

铜铟硫半导体纳米粒子及其制备方法 [P].

钟海政 ;

李永舫 .

中国专利 :CN102105400A ,2011-06-22

[8]

一种锌铟硫纳米片阵列薄膜的制备方法 [P].

何丹农 ;

卢静 ;

涂兴龙 ;

白仕亨 ;

李砚瑞 ;

金彩虹 .

中国专利 :CN109052988B ,2018-12-21

[9]

一种由升华硫粉制备铜铟硫光电薄膜的方法 [P].

刘科高 ;

荆明星 ;

徐勇 ;

于刘洋 ;

石磊 .

中国专利 :CN106057969A ,2016-10-26

[10]

一种铜铟硫/石墨烯复合薄膜材料的制备方法 [P].

元炯亮 ;

王培城 .

中国专利 :CN104818504B ,2015-08-05

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