光学材料高纯氟化钡的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111502824.5

申请日：

2021-12-09

公开(公告)号：

CN114180612A

公开(公告)日：

2022-03-15

发明(设计)人：

安宁于金凤

申请人：

申请人地址：

239004 安徽省滁州市琅琊经济开发区南京路100号

IPC主分类号：

C01F1122

IPC分类号：

C01C116

代理机构：

北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387

代理人：

张向琨

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-15	公开	公开
2022-04-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01F 11/22 申请日:20211209

共 50 条

[1]

一种高纯氟化钡的制备方法 [P].

魏哲彦 ;

李志新 ;

徐会茹 ;

史立平 .

中国专利 :CN118851237A ,2024-10-29

[2]

一种制备氟化钡的方法 [P].

皇甫根利 ;

李世江 ;

侯红军 ;

杨华春 ;

刘海霞 ;

张良 .

中国专利 :CN101376519A ,2009-03-04

[3]

氟化钡及其制备方法 [P].

梁启波 ;

万洋 ;

曾开文 .

中国专利 :CN113998725A ,2022-02-01

[4]

一种高纯氟化镁光学材料制备方法 [P].

李雪 ;

马亚丽 ;

岳岩 ;

曹笑宁 ;

刘云义 .

中国专利 :CN112441603B ,2021-03-05

[5]

一种高纯氟化钡含量的测试方法 [P].

杨斌 .

中国专利 :CN104849165A ,2015-08-19

[6]

柱状纳米氟化钡晶体制备方法 [P].

连洪洲 ;

叶泽人 ;

石春山 .

中国专利 :CN1252324C ,2004-03-31

[7]

细结晶电子级氟化钡的制备方法 [P].

明添 ;

明智 ;

明雯 ;

明实 .

中国专利 :CN102336427A ,2012-02-01

[8]

一种高纯氟化钡生产用离心装置 [P].

陈进东 ;

刘刚 ;

刘文 ;

高明明 .

中国专利 :CN115463753A ,2022-12-13

[9]

一种低氧含量氟化钡的制备方法 [P].

吴为民 ;

甄西合 ;

徐悟生 ;

朱逢锐 ;

熊加丽 ;

杨春晖 .

中国专利 :CN113307296A ,2021-08-27

[10]

一种高含量氟化钡的加热装置 [P].

王朝阳 .

中国专利 :CN208554130U ,2019-03-01

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