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一种提高金刚石衬底光学透过率的方法
被引:0
申请号
:
CN202211212567.6
申请日
:
2022-09-30
公开(公告)号
:
CN115491637A
公开(公告)日
:
2022-12-20
发明(设计)人
:
吴艳霞
于盛旺
汪利敏
刘颖
高洁
黑鸿君
王永胜
申请人
:
申请人地址
:
030024 山西省太原市迎泽西大街79号
IPC主分类号
:
C23C1402
IPC分类号
:
C23C1408
C23C1424
C23C1434
C23C1435
G02B1113
代理机构
:
太原倍智知识产权代理事务所(普通合伙) 14111
代理人
:
张宏
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-12-20
公开
公开
2023-01-03
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/02 申请日:20220930
共 50 条
[1]
金刚石衬底的制备方法、金刚石衬底及半导体器件
[P].
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机构:
刘新科
;
钟智祥
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机构:
深圳大学
深圳大学
钟智祥
;
范康凯
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机构:
深圳大学
深圳大学
范康凯
;
李一阳
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深圳大学
深圳大学
李一阳
;
论文数:
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机构:
陈春燕
;
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机构:
黎晓华
;
王铠丰
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深圳大学
深圳大学
王铠丰
;
论文数:
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机构:
何军
;
刘河洲
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机构:
深圳大学
深圳大学
刘河洲
.
中国专利
:CN121006616A
,2025-11-25
[2]
金刚石衬底加工方法
[P].
王镇
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机构:
中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
王镇
;
曹繁秋
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中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
曹繁秋
;
韩煦
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中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
韩煦
;
金鹏
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机构:
中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
金鹏
;
王占国
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中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
王占国
;
马南阳
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中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
马南阳
;
李云华
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机构:
中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
李云华
;
陈健
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机构:
中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
陈健
.
中国专利
:CN120674302A
,2025-09-19
[3]
一种高光学透过率CVD多晶金刚石厚膜的制备方法
[P].
曹博伦
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机构:
郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
曹博伦
;
徐帅
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郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
徐帅
;
吴晓磊
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郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
吴晓磊
;
赵延军
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郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
赵延军
;
周文涛
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机构:
郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
周文涛
;
刘晖
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机构:
郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
刘晖
;
闫建明
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郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
闫建明
;
康世豪
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郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
康世豪
;
闫宁
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机构:
郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
闫宁
.
中国专利
:CN117535647A
,2024-02-09
[4]
一种晶圆级金刚石衬底的抛光方法和晶圆级金刚石衬底
[P].
林秋宝
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林秋宝
;
黄雪润
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黄雪润
;
吴波
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吴波
;
张星
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张星
.
中国专利
:CN113178382A
,2021-07-27
[5]
金刚石衬底的筛选方法
[P].
马南阳
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机构:
河南六面顶新材料科技有限公司
河南六面顶新材料科技有限公司
马南阳
;
李云华
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机构:
河南六面顶新材料科技有限公司
河南六面顶新材料科技有限公司
李云华
;
陈健
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机构:
河南六面顶新材料科技有限公司
河南六面顶新材料科技有限公司
陈健
;
王镇
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机构:
河南六面顶新材料科技有限公司
河南六面顶新材料科技有限公司
王镇
;
曹繁秋
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机构:
河南六面顶新材料科技有限公司
河南六面顶新材料科技有限公司
曹繁秋
;
金鹏
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机构:
河南六面顶新材料科技有限公司
河南六面顶新材料科技有限公司
金鹏
;
王占国
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机构:
河南六面顶新材料科技有限公司
河南六面顶新材料科技有限公司
王占国
.
中国专利
:CN120214231A
,2025-06-27
[6]
一种带光学增透膜的金刚石制备方法
[P].
魏俊俊
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魏俊俊
;
黄亚博
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黄亚博
;
陈良贤
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陈良贤
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刘金龙
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刘金龙
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李成明
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李成明
;
高旭辉
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高旭辉
.
中国专利
:CN112376034B
,2021-02-19
[7]
金刚石复合衬底、金刚石复合衬底的制备方法及GaN器件
[P].
梁剑波
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机构:
苏州晶和半导体科技有限公司
苏州晶和半导体科技有限公司
梁剑波
.
中国专利
:CN120388885A
,2025-07-29
[8]
一种金刚石衬底GaN器件背孔制备的方法
[P].
吴立枢
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吴立枢
;
孔月婵
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0
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孔月婵
;
陈堂胜
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陈堂胜
.
中国专利
:CN113808948A
,2021-12-17
[9]
金刚石单晶衬底的制造方法和金刚石单晶衬底
[P].
目黑贵一
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目黑贵一
;
山本喜之
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山本喜之
;
今井贵浩
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0
今井贵浩
.
中国专利
:CN1840472B
,2006-10-04
[10]
一种金刚石用研磨液及金刚石衬底的研磨方法
[P].
王旗
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机构:
山东天岳先进科技股份有限公司
山东天岳先进科技股份有限公司
王旗
;
王立凤
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机构:
山东天岳先进科技股份有限公司
山东天岳先进科技股份有限公司
王立凤
;
刘硕
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山东天岳先进科技股份有限公司
山东天岳先进科技股份有限公司
刘硕
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朱灿
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山东天岳先进科技股份有限公司
山东天岳先进科技股份有限公司
朱灿
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马立兴
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山东天岳先进科技股份有限公司
山东天岳先进科技股份有限公司
马立兴
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张林
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山东天岳先进科技股份有限公司
山东天岳先进科技股份有限公司
张林
;
王凯
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机构:
山东天岳先进科技股份有限公司
山东天岳先进科技股份有限公司
王凯
;
薛港生
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机构:
山东天岳先进科技股份有限公司
山东天岳先进科技股份有限公司
薛港生
;
李印
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机构:
山东天岳先进科技股份有限公司
山东天岳先进科技股份有限公司
李印
;
邵殿领
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机构:
山东天岳先进科技股份有限公司
山东天岳先进科技股份有限公司
邵殿领
;
隋晓明
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机构:
山东天岳先进科技股份有限公司
山东天岳先进科技股份有限公司
隋晓明
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中国专利
:CN118165701B
,2024-07-26
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