发光二极管

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专利类型
外观设计
申请号
CN201230136706.2
申请日
2012-04-27
公开(公告)号
CN302135656S
公开(公告)日
2012-10-17
发明(设计)人
王心盈 钟健凯 柯淙凯
申请人
申请人地址
中国台湾新竹市
IPC主分类号
2604
IPC分类号
代理机构
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
马涛;冯晓燕
法律状态
专利权的终止
国省代码
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共 50 条
[1]
发光二极管 [P]. 
程原旭彦 ;
佐藤毅 .
中国专利 :CN304608404S ,2018-05-01
[2]
发光二极管 [P]. 
落合雄纪 ;
西川雄树 ;
后藤聪 ;
山田达郎 .
中国专利 :CN303938401S ,2016-11-23
[3]
发光二极管 [P]. 
大森祐治 .
中国专利 :CN304271911S ,2017-09-05
[4]
发光二极管 [P]. 
沟边宪政 .
中国专利 :CN302001953S ,2012-07-18
[5]
发光二极管 [P]. 
田村量 .
中国专利 :CN304456568S ,2018-01-12
[6]
发光二极管 [P]. 
栗城新吾 ;
程原旭彦 ;
金丸厚史 .
中国专利 :CN304620957S ,2018-05-08
[7]
发光二极管 [P]. 
沟边宪政 .
中国专利 :CN302022826S ,2012-08-01
[8]
发光二极管 [P]. 
栗城新吾 .
中国专利 :CN303704349S ,2016-06-08
[9]
发光二极管 [P]. 
吴俊毅 ;
廖文禄 ;
郑鸿达 .
中国专利 :CN302022842S ,2012-08-01
[10]
发光二极管 [P]. 
郭桓卲 ;
吴俊毅 ;
吴超瑜 ;
王笃祥 .
中国专利 :CN304083238S ,2017-03-22