一种纳米线阵列的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410660932.9

申请日：

2014-11-19

公开(公告)号：

CN105668540A

公开(公告)日：

2016-06-15

发明(设计)人：

李群庆金元浩范守善

申请人：

申请人地址：

100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室

IPC主分类号：

C01B3102

IPC分类号：

B82Y4000

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-14	授权	授权
2016-06-15	公开	公开
2016-07-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101669701038 IPC(主分类):C01B 31/02 专利申请号:2014106609329 申请日:20141119

共 50 条

[1]

纳米线阵列的雕刻方法及纳米线阵列 [P].

程春 ;

石润 ;

刘世源 ;

陈鹏程 ;

欧阳文开 ;

陈宏 ;

张亮 .

中国专利 :CN107112234A ,2017-08-29

[2]

一种金属纳米线膜的制备方法以及导电元件 [P].

金元浩 ;

李群庆 ;

范守善 .

中国专利 :CN106276778B ,2017-01-04

[3]

垂直衬底纳米线阵列的制备方法 [P].

武光明 ;

邢光建 ;

张志乾 ;

丁尧 .

中国专利 :CN102442637A ,2012-05-09

[4]

一种纳米线阵列制备方法 [P].

段学欣 ;

唐宁 ;

周诚 .

中国专利 :CN109761191A ,2019-05-17

[5]

纳米线阵列制备方法、纳米线阵列集成器件及其制备方法 [P].

李述体 ;

王汝鹏 ;

宋伟东 ;

郭德霄 ;

陈航 ;

李凯 .

中国专利 :CN106082121A ,2016-11-09

[6]

一种Si/SiGe纳米线阵列的制造方法及Si/SiGe纳米线阵列 [P].

钱坤 ;

张培建 ;

朱坤峰 ;

常小宇 ;

唐新悦 ;

易孝辉 ;

洪敏 ;

刘健 ;

杨永晖 ;

臧剑栋 ;

张磊 .

中国专利 :CN118782685A ,2024-10-15

[7]

一种大规模GaN纳米线阵列的制备方法 [P].

王现英 ;

康云龙 ;

王丁 ;

杨俊和 .

中国专利 :CN108441943A ,2018-08-24

[8]

一种p型ZnO纳米线阵列的制备方法 [P].

潘曹峰 ;

程韬 ;

韩勋 .

中国专利 :CN114933729A ,2022-08-23

[9]

一种制备SiC纳米线阵列的方法 [P].

师文生 ;

刘海龙 ;

佘广为 ;

凌世婷 .

中国专利 :CN101613881A ,2009-12-30

[10]

一种纳米线阵列器件的制备方法 [P].

贾慧民 ;

魏志鹏 ;

唐吉龙 ;

亢玉彬 ;

方铉 ;

李洋 ;

林逢源 ;

王登魁 ;

马晓辉 .

中国专利 :CN109534279B ,2019-03-29

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