一次性麻醉深度监测脑电传感器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201621333061.0

申请日：

2016-12-06

公开(公告)号：

CN206534639U

公开(公告)日：

2017-10-03

发明(设计)人：

阙文茂

申请人：

申请人地址：

610000 四川省成都市郫县成都现代工业港北片区港通北三路589号

IPC主分类号：

A61B50478

IPC分类号：

A61B500

代理机构：

成都科奥专利事务所(普通合伙) 51101

代理人：

陈克贤

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-22	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):A61B 5/0478 变更事项:专利权人变更前:成都科飞达医疗器械有限公司变更后:四川科弘医疗器械有限公司变更事项:地址变更前:610000 四川省成都市郫县成都现代工业港北片区港通北三路589号变更后:611730 四川省成都市郫县成都现代工业港北片区港通北三路589号
2017-10-03	授权	授权
2019-05-31	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):A61B 5/0478 变更事项:专利权人变更前:成都迈高医疗器械有限公司变更后:成都科飞达医疗器械有限公司变更事项:地址变更前:610000 四川省成都市郫县成都现代工业港北片区港通北三路589号变更后:610000 四川省成都市郫县成都现代工业港北片区港通北三路589号

共 50 条

[1]

一次性麻醉深度监测脑电传感器 [P].

田培华 .

中国专利 :CN215017620U ,2021-12-07

[2]

一次性麻醉深度监测传感器 [P].

丁天赦 ;

方建新 .

中国专利 :CN202875326U ,2013-04-17

[3]

一次性麻醉深度监测传感器 [P].

李明哲 ;

杨德涛 ;

段晏文 .

中国专利 :CN207236786U ,2018-04-17

[4]

一次性无创脑电传感器 [P].

王才富 .

中国专利 :CN213249154U ,2021-05-25

[5]

一次性使用多参数脑电传感器 [P].

珠淮 ;

蔡利民 .

中国专利 :CN208492091U ,2019-02-15

[6]

一次性无创脑电传感器 [P].

王禾明 .

中国专利 :CN222676232U ,2025-03-28

[7]

一次性心电传感器 [P].

吕华 ;

林宗宪 ;

陈思豪 ;

黄星宁 ;

夏飞 .

中国专利 :CN222150019U ,2024-12-13

[8]

易于固定的一次性脑电传感器 [P].

王立辉 .

中国专利 :CN210043998U ,2020-02-11

[9]

一次性无创脑电传感器 [P].

曾庆荣 .

中国专利 :CN309586770S ,2025-11-07

[10]

一次性无创脑电传感器 [P].

王才富 .

中国专利 :CN113967021B ,2022-01-25

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