光半导体装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201220025472.9

申请日：

2012-01-19

公开(公告)号：

CN202817007U

公开(公告)日：

2013-03-20

发明(设计)人：

土居芳行村本好史大山贵晴

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L3110

IPC分类号：

H01L310224

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

高科

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-08	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 31/10 申请日:20120119 授权公告日:20130320
2013-03-20	授权	授权

共 50 条

[1]

光半导体装置 [P].

土居芳行 ;

村本好史 ;

大山贵晴 .

中国专利 :CN102623544A ,2012-08-01

[2]

光半导体装置 [P].

中路雅晴 ;

石村荣太郎 ;

柳生荣治 .

中国专利 :CN101599511B ,2009-12-09

[3]

光半导体装置 [P].

石村荣太郎 ;

中路雅晴 ;

柳生荣治 .

中国专利 :CN101593784B ,2009-12-02

[4]

半导体光接收元件 [P].

中路雅晴 ;

竹村亮太 .

中国专利 :CN102034890B ,2011-04-27

[5]

光半导体装置 [P].

新关彰一 ;

一仓启慈 .

中国专利 :CN110062962B ,2019-07-26

[6]

光半导体装置 [P].

石井邦幸 ;

川村正信 ;

原弘 ;

木村周三 .

日本专利 :CN120686417A ,2025-09-23

[7]

光半导体装置 [P].

岩井誉贵 ;

竹原浩成 .

中国专利 :CN101901849A ,2010-12-01

[8]

光半导体装置 [P].

凑龙一郎 ;

大木泰 .

中国专利 :CN111712979A ,2020-09-25

[9]

光半导体装置 [P].

波冈香 .

中国专利 :CN101615649A ,2009-12-30

[10]

光半导体装置 [P].

小川喜之 ;

川崎和重 .

日本专利 :CN118120121A ,2024-05-31

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