一种薄膜应变计及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410182300.6

申请日：

2014-04-30

公开(公告)号：

CN103921500A

公开(公告)日：

2014-07-16

发明(设计)人：

蒋书文张洁蒋洪川张万里

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

B32B1504

IPC分类号：

B32B904 B32B1800 G01B716

代理机构：

电子科技大学专利中心 51203

代理人：

李明光

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-16	公开	公开
2016-01-13	授权	授权
2014-08-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584390556 IPC(主分类):B32B 15/04 专利申请号:2014101823006 申请日:20140430

共 50 条

[1]

一种高温薄膜应变计及其制作方法 [P].

崔云先 ;

张子超 ;

张启翔 ;

李东明 ;

费继友 .

中国专利 :CN105908142A ,2016-08-31

[2]

一种高温陶瓷薄膜应变计及其制备方法 [P].

孙道恒 ;

潘晓川 ;

海振银 ;

林帆 ;

杨涛 ;

武超 ;

崔在甫 ;

陈沁楠 ;

何功汉 .

中国专利 :CN115493730A ,2022-12-20

[3]

电阻应变计及其制备方法 [P].

王春国 .

中国专利 :CN115030942A ,2022-09-09

[4]

一种高温同步补偿薄膜应变计及其制备方法 [P].

张丛春 ;

杨伸勇 ;

丁桂甫 ;

李娟 .

中国专利 :CN106403804A ,2017-02-15

[5]

一种基于溅射薄膜的薄膜应变计 [P].

王文卷 ;

戚龙 ;

潘婷 ;

郇光周 ;

张苗 .

中国专利 :CN206362301U ,2017-07-28

[6]

一种基于磁控溅射的复合薄膜应变计及其制备方法 [P].

杨成韬 ;

孙尚毅 ;

徐康才 .

中国专利 :CN114322740A ,2022-04-12

[7]

一种聚酰亚胺薄膜基底应变计 [P].

孔善右 ;

张仕明 ;

王梓 ;

葛栋 .

中国专利 :CN216049662U ,2022-03-15

[8]

一种表面式应变计 [P].

张会东 ;

宋正峰 ;

李吉娃 ;

荣华 ;

申彤 .

中国专利 :CN117739903A ,2024-03-22

[9]

一种TiB2-SiCN陶瓷高温薄膜应变计及其制备方法 [P].

海振银 ;

孙道恒 ;

林帆 ;

武超 ;

潘晓川 ;

陈沁楠 ;

何功汉 .

中国专利 :CN114812374A ,2022-07-29

[10]

一种复合保护层的高温薄膜应变计及其制备方法 [P].

杨伸勇 ;

张丛春 ;

林兴楷 ;

汪红 ;

巫永鹏 ;

张晓静 ;

李冬洋 ;

丁桂甫 .

中国专利 :CN108088610B ,2018-05-29

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