一种低杂散电感IGBT功率模块

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201720690814.1

申请日：

2017-06-14

公开(公告)号：

CN207234643U

公开(公告)日：

2018-04-13

发明(设计)人：

邱庆恕左刚强张新强

申请人：

申请人地址：

300385 天津市西青区经济开发区兴华七支路1号

IPC主分类号：

H02M100

IPC分类号：

H05K720

代理机构：

天津才智专利商标代理有限公司 12108

代理人：

庞学欣

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-13	授权	授权

共 50 条

[1]

一种低杂散电感IGBT模块 [P].

李馨雨 ;

杨晓璇 .

中国专利 :CN222581169U ,2025-03-07

[2]

一种低杂散电感的功率模块 [P].

邓桂柱 ;

戴鑫宇 ;

王生权 .

中国专利 :CN222653955U ,2025-03-21

[3]

杂散电感低的功率模块 [P].

D.科特 ;

F.特劳布 .

中国专利 :CN107424986B ,2017-12-01

[4]

低杂散电感的功率模块 [P].

刘志宏 ;

朱翔 ;

李冯 ;

沈华 .

中国专利 :CN101582413B ,2009-11-18

[5]

一种低杂散电感的功率模块 [P].

王玥明 ;

郑雷 ;

刘进明 ;

何挺 ;

李渡阔 .

中国专利 :CN222966148U ,2025-06-10

[6]

一种IGBT模块的低杂散电感的封装结构 [P].

陈庆 ;

刘辉钟 .

中国专利 :CN222720433U ,2025-04-04

[7]

较低杂散电感的功率模块 [P].

刘志宏 ;

朱翔 ;

李冯 ;

沈华 .

中国专利 :CN201417771Y ,2010-03-03

[8]

一种低杂散电感的功率模块组件连接结构 [P].

王咏 ;

朱贤龙 ;

闫鹏修 ;

李博强 ;

刘军 .

中国专利 :CN217822773U ,2022-11-15

[9]

一种低杂散电感衬底及其功率半导体模块 [P].

杨贺雅 ;

罗浩泽 ;

梅烨 .

中国专利 :CN207250508U ,2018-04-17

[10]

用于功率模块的低杂散电感母排结构 [P].

王庆凯 ;

高崎哲 .

中国专利 :CN218160361U ,2022-12-27

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