半导体存储装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110086518.1

申请日：

2021-01-22

公开(公告)号：

CN114156275A

公开(公告)日：

2022-03-08

发明(设计)人：

渡边慎也荒井伸也

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L271157

IPC分类号：

H01L2711573 H01L2711582 H01L2711524 H01L2711529 H01L2711556 H01L2518

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

杨林勳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-08	公开	公开
2022-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/1157 申请日:20210122

共 50 条

[1]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

山崎博之 ;

田上政由 ;

岩崎太一 .

日本专利 :CN120712908A ,2025-09-26

[2]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

満野阳介 ;

増田亮二 ;

滨田龙文 ;

九鬼知博 ;

森川雄介 .

日本专利 :CN118591188A ,2024-09-03

[3]

半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法 [P].

小林茂树 ;

中久保义则 ;

野仲靖孝 .

中国专利 :CN113632230A ,2021-11-09

[4]

半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法 [P].

小林茂树 ;

中久保义则 ;

野仲靖孝 .

日本专利 :CN113632230B ,2024-03-05

[5]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

清水悟 .

中国专利 :CN1581491A ,2005-02-16

[6]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

田中启安 ;

胜又龙太 ;

青地英明 ;

木藤大 ;

鬼头杰 ;

佐藤充 .

中国专利 :CN103441127B ,2013-12-11

[7]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

鹿嶋孝之 .

日本专利 :CN113327928B ,2024-01-19

[8]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

铃木和贵 .

中国专利 :CN111725190A ,2020-09-29

[9]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

大泽隆 .

中国专利 :CN1354523A ,2002-06-19

[10]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

矢野胜 ;

王炳尧 .

中国专利 :CN105742286B ,2016-07-06

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