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半导体受光模块

被引：0
申请号：
CN201980099785.3
申请日：
2019-08-28
公开(公告)号：
CN114303251A
公开(公告)日：
2022-04-08
发明(设计)人：
本多裕德 大村悦司
申请人：
申请人地址：
日本京都府京都市伏见区西大手町307番地21
IPC主分类号：
H01L310232
IPC分类号：
G02B642
代理机构：
北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264
代理人：
刘俊;高珊
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-04-08 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体受光模块 [P]. 
本多裕德 ;
大村悦司 .
日本专利 :CN114303251B ,2024-06-25
[2]
半导体受光元件以及光模块 [P]. 
菊地真人武 .
中国专利 :CN102270666A ,2011-12-07
[3]
半导体受光元件 [P]. 
名田允洋 ;
吉松俊英 ;
中岛史人 ;
山田友辉 .
日本专利 :CN113678266B ,2024-10-15
[4]
半导体受光元件 [P]. 
名田允洋 ;
吉松俊英 ;
中岛史人 ;
山田友辉 .
中国专利 :CN113678266A ,2021-11-19
[5]
半导体受光装置 [P]. 
中路雅晴 ;
竹村亮太 .
中国专利 :CN102800736A ,2012-11-28
[6]
半导体受光元件 [P]. 
山口晴央 .
中国专利 :CN106409966B ,2017-02-15
[7]
半导体受光模块及半导体受光模块的制造方法 [P]. 
西尾文孝 ;
久米真纪夫 .
中国专利 :CN108886066B ,2018-11-23
[8]
半导体受光模块 [P]. 
见上洋平 .
中国专利 :CN107946376B ,2018-04-20
[9]
半导体受光元件 [P]. 
石村荣太郎 ;
中路雅晴 .
中国专利 :CN101521245A ,2009-09-02
[10]
半导体受光元件 [P]. 
田口桂基 ;
牧野健二 ;
大重美明 ;
石原兆 .
日本专利 :CN119318221A ,2025-01-14
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