具有双向形状记忆效应的磁性材料及其单晶制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410080015.X

申请日：

2004-09-24

公开(公告)号：

CN1310257C

公开(公告)日：

2005-04-27

发明(设计)人：

刘国栋柳祝红代学芳朱志永陈京兰吴光恒

申请人：

申请人地址：

100080北京市海淀区中关村南三街8号

IPC主分类号：

H01F1047

IPC分类号：

C30B2952 C30B1500 C22C2200 C22C3200

代理机构：

北京中创阳光知识产权代理有限责任公司

代理人：

尹振启

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-04-11	授权	授权
2005-06-29	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-04-27	公开	公开
2011-12-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101147918155 IPC(主分类):H01F 1/047 专利号:ZL200410080015X 申请日:20040924 授权公告日:20070411 终止日期:20100924

共 50 条

[1]

具有磁场可控的双向形状记忆效应的磁性单晶及制备方法 [P].

陈京兰 ;

张铭 ;

柳祝红 ;

刘国栋 ;

代学芳 ;

吴光恒 .

中国专利 :CN1274888C ,2005-07-06

[2]

具有磁场驱动马氏体相变效应的磁性材料及其制备方法 [P].

于淑云 ;

代学芳 ;

刘国栋 ;

陈京兰 ;

吴光恒 .

中国专利 :CN101055777A ,2007-10-17

[3]

一种具有磁场驱动马氏体相变效应的磁性材料及其制备方法 [P].

于淑云 ;

罗鸿志 ;

朱志永 ;

刘国栋 ;

陈京兰 ;

吴光恒 .

中国专利 :CN100465314C ,2007-09-19

[4]

具有磁场驱动马氏体孪晶重排的磁性材料及其制备方法 [P].

薛烽 ;

巨佳 ;

周健 ;

白晶 ;

孙扬善 ;

历虹 ;

孙晶晶 ;

严木香 .

中国专利 :CN103952615B ,2014-07-30

[5]

一种具有磁场驱动马氏体相变效应的磁性材料及其制备方法 [P].

冯琳 ;

冀婷 ;

张文星 ;

张彩霞 ;

李维强 ;

韩国华 .

中国专利 :CN103146958A ,2013-06-12

[6]

一种具有交换偏置效应的磁性材料及其制备方法 [P].

马丽 ;

陈京兰 ;

王文洪 ;

吴光恒 .

中国专利 :CN101826385A ,2010-09-08

[7]

一种具有大的交换偏置效应的磁性形状记忆合金材料及其制备方法 [P].

马丽 ;

王曙巧 ;

李国杰 ;

甄聪棉 ;

侯登录 .

中国专利 :CN102732762A ,2012-10-17

[8]

具有磁诱导高应变和形状记忆效应的磁性单晶及制备方法 [P].

柳祝红 ;

崔玉亭 ;

张铭 ;

王文洪 ;

陈京兰 ;

吴光恒 .

中国专利 :CN1236114C ,2004-02-04

[9]

一种具有高应变形状记忆效应的磁性带材及制备方法 [P].

张铭 ;

崔玉亭 ;

柳祝红 ;

王文洪 ;

陈京兰 ;

吴光恒 .

中国专利 :CN1501410A ,2004-06-02

[10]

一种磁性形状记忆合金单晶及制备方法 [P].

朱伟 ;

陈京兰 ;

吴光恒 .

中国专利 :CN101275194A ,2008-10-01

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