在硅片表面制备二氧化硅和多晶硅薄膜的装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202021625682.2

申请日：

2020-08-06

公开(公告)号：

CN212750913U

公开(公告)日：

2021-03-19

发明(设计)人：

孙巍泉

申请人：

申请人地址：

230000 安徽省合肥市高新区海关路园景天下枫丹庄园9栋608号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L310216

代理机构：

蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司 34102

代理人：

王琪

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-19	授权	授权

共 50 条

[1]

在硅片表面制备二氧化硅和多晶硅薄膜的装置及制备方法 [P].

孙巍泉 .

中国专利 :CN111739983A ,2020-10-02

[2]

多晶硅生产中的二氧化硅回收装置 [P].

王忠群 ;

涂夏明 ;

唐明元 ;

王绍祖 ;

张羽超 ;

刘宝林 .

中国专利 :CN203428923U ,2014-02-12

[3]

多晶硅生产中的二氧化硅储存装置 [P].

涂夏明 ;

王忠群 ;

唐明元 ;

王绍祖 .

中国专利 :CN203512428U ,2014-04-02

[4]

多晶硅生产中的二氧化硅包装系统 [P].

唐明元 ;

王忠群 ;

涂夏明 ;

王绍祖 ;

姜静 ;

屈杰 ;

蒙敏 .

中国专利 :CN203512069U ,2014-04-02

[5]

在银币表面制备二氧化硅膜的方法、二氧化硅膜和银币 [P].

王浙加 ;

李明 ;

明帅强 ;

夏洋 ;

冯嘉恒 .

中国专利 :CN114774882A ,2022-07-22

[6]

高纯度二氧化硅与冶金级多晶硅的制法 [P].

丁原杰 ;

曾忠璿 .

中国专利 :CN101397138B ,2009-04-01

[7]

在银币表面制备二氧化硅膜的方法、二氧化硅膜和银币 [P].

王浙加 ;

李明 ;

明帅强 ;

夏洋 ;

冯嘉恒 .

中国专利 :CN114481093A ,2022-05-13

[8]

一种晶态二氧化硅制备多晶硅的方法及系统 [P].

何良雨 ;

刘彤 .

中国专利 :CN113387359A ,2021-09-14

[9]

一种多晶硅表面二氧化硅微纳结构的加工方法 [P].

王烁 ;

琚安安 ;

秦林生 ;

杨利琛 ;

陈萝娜 .

中国专利 :CN120674305A ,2025-09-19

[10]

一种以二氧化硅和氢气为原料制备多晶硅的方法 [P].

田辉明 ;

田正芳 ;

黄林勇 ;

陈中文 ;

江军明 ;

雷绍民 .

中国专利 :CN111056556A ,2020-04-24

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