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外腔式半导体激光器
被引:0
申请号
:
CN202211223615.1
申请日
:
2022-10-08
公开(公告)号
:
CN115473122A
公开(公告)日
:
2022-12-13
发明(设计)人
:
肖云峰
张方醒
季胜强
孙伽略
柏雁捷
皇甫胜男
申请人
:
申请人地址
:
226000 江苏省南通市崇州大道60号紫琅科技城15号楼
IPC主分类号
:
H01S514
IPC分类号
:
代理机构
:
北京路浩知识产权代理有限公司 11002
代理人
:
戴弘
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-12-30
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/14 申请日:20221008
2022-12-13
公开
公开
共 50 条
[1]
外腔半导体激光器
[P].
黄军超
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黄军超
;
杜润昌
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杜润昌
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王新文
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王新文
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于明园
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于明园
;
杨林
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杨林
.
中国专利
:CN112018597A
,2020-12-01
[2]
外腔半导体激光器
[P].
阿兰姆·穆拉迪安
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阿兰姆·穆拉迪安
.
中国专利
:CN1046641A
,1990-10-31
[3]
外腔半导体激光器
[P].
臧二军
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臧二军
;
赵阳
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赵阳
;
李烨
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李烨
;
曹建平
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曹建平
;
方占军
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方占军
.
中国专利
:CN101958510B
,2011-01-26
[4]
外腔半导体激光器
[P].
肖啸
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肖啸
;
鲁远甫
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鲁远甫
;
于峰崎
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于峰崎
;
金雷
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金雷
.
中国专利
:CN103532012A
,2014-01-22
[5]
外腔半导体激光器阵列结构
[P].
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机构:
韦欣
;
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机构:
袁崇献
;
王泂淏
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机构:
中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
王泂淏
;
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机构:
邱小浪
;
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机构:
李川川
.
中国专利
:CN119890910B
,2025-10-17
[6]
外腔半导体激光器阵列结构
[P].
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机构:
韦欣
;
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机构:
袁崇献
;
王泂淏
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机构:
中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
王泂淏
;
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机构:
邱小浪
;
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机构:
李川川
.
中国专利
:CN119890910A
,2025-04-25
[7]
一种外腔式半导体激光器装置
[P].
周志远
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周志远
;
杨凯
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杨凯
;
李银海
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李银海
;
李岩
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李岩
;
史保森
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史保森
.
中国专利
:CN111384665A
,2020-07-07
[8]
一种外腔式半导体激光器装置
[P].
周志远
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周志远
;
杨凯
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杨凯
;
李银海
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李银海
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李岩
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李岩
;
史保森
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史保森
.
中国专利
:CN211929897U
,2020-11-13
[9]
复合外腔半导体激光器
[P].
霍玉晶
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霍玉晶
;
许知止
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许知止
;
周炳琨
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周炳琨
.
中国专利
:CN87215998U
,1988-10-05
[10]
光栅外腔半导体激光器
[P].
臧二军
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臧二军
;
彭瑜
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彭瑜
;
曹建平
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曹建平
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李烨
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李烨
;
方占军
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方占军
.
中国专利
:CN102025106A
,2011-04-20
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