稀土氧化物次级发射材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510002278.3

申请日：

2005-01-20

公开(公告)号：

CN1632897A

公开(公告)日：

2005-06-29

发明(设计)人：

王金淑周美玲刘伟

申请人：

申请人地址：

100022北京市朝阳区平乐园100号

IPC主分类号：

H01J1144

IPC分类号：

H01J2305 H01J902 C01F1700

代理机构：

北京思海天达知识产权代理有限公司

代理人：

张慧

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-12-31	授权	授权
2011-03-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101060488278 IPC(主分类):H01J 1/144 专利号:ZL2005100022783 申请日:20050120 授权公告日:20081231 终止日期:20100220
2005-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-06-29	公开	公开

共 50 条

[1]

多元复合稀土电子发射材料及其制备方法 [P].

章德铭 ;

崔云涛 ;

张曙光 ;

任先京 ;

彭鹰 ;

王芦燕 .

中国专利 :CN103769581A ,2014-05-07

[2]

稀土氧化物发光材料及其制备方法 [P].

周明杰 ;

刘军 ;

马文波 .

中国专利 :CN102382644B ,2012-03-21

[3]

二元稀土钼次级发射材料及其制备方法 [P].

王金淑 ;

周美玲 ;

张久兴 ;

聂祚仁 ;

左铁镛 .

中国专利 :CN1360079A ,2002-07-24

[4]

三元稀土钼次级发射材料及其制备方法 [P].

王金淑 ;

周美玲 ;

张久兴 ;

李洪义 .

中国专利 :CN1389890A ,2003-01-08

[5]

掺In的稀土氧化物发光材料及其制备方法 [P].

周明杰 ;

刘军 ;

马文波 .

中国专利 :CN102382649B ,2012-03-21

[6]

一种含有复合稀土氧化物的压敏电阻材料及其制备方法 [P].

冯婉钰 ;

冯明铎 ;

张家植 .

中国专利 :CN109305810A ,2019-02-05

[7]

稀土配合物、稀土氧化物及其制备方法 [P].

朱英杰 ;

陈峰 .

中国专利 :CN101665503B ,2010-03-10

[8]

稀土配合物、稀土氧化物及其制备方法 [P].

朱英杰 ;

陈峰 .

中国专利 :CN102351235A ,2012-02-15

[9]

一种层状稀土氧化物材料及其制备方法 [P].

王娜 .

中国专利 :CN105271352A ,2016-01-27

[10]

一种层状稀土氧化物材料及其制备方法 [P].

王娜 ;

邱亚娟 .

中国专利 :CN103708527A ,2014-04-09

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