一种复合半导体光催化材料的构建方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910586990.4

申请日：

2019-06-22

公开(公告)号：

CN110368975A

公开(公告)日：

2019-10-25

发明(设计)人：

雷泽霄花保侣毛栋韩刘方东

申请人：

申请人地址：

224007 江苏省盐城市希望大道南路2号

IPC主分类号：

B01J2724

IPC分类号：

B01J3710 B01J3734

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-25	公开	公开
2022-12-02	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):B01J 27/24 申请公布日:20191025

共 50 条

[1]

一种三氧化二铟光催化复合材料的构建方法 [P].

毛栋 ;

雷泽霄 ;

花保侣 ;

吴林 ;

孙世新 ;

方东 .

中国专利 :CN110368922A ,2019-10-25

[2]

一种γ-Fe2O3与硫化铟锌复合光催化材料的制备方法 [P].

雷泽霄 ;

花保侣 ;

毛栋 ;

韩刘 ;

方东 .

中国专利 :CN110368958A ,2019-10-25

[3]

一种半导体聚合物复合光催化材料的制备方法 [P].

沈学如 .

中国专利 :CN108786917A ,2018-11-13

[4]

一种复合半导体光催化材料及其制备方法 [P].

袁晓娇 ;

张国庆 ;

阳楚雄 ;

区文仕 .

中国专利 :CN106345496A ,2017-01-25

[5]

一种Bi系复合半导体光催化材料的合成方法 [P].

曹蓓蓓 .

中国专利 :CN106799223A ,2017-06-06

[6]

一种碳氮掺杂氧化铟半导体光催化材料在制备氢气中的应用方法 [P].

雷泽霄 ;

毛栋 ;

胡霖 ;

温小菊 ;

邢蓉 ;

孙世新 ;

方东 .

中国专利 :CN111871437A ,2020-11-03

[7]

一种半导体光催化材料的掺杂方法 [P].

陈伏生 .

中国专利 :CN116422326B ,2024-08-09

[8]

一种复合半导体光催化材料及其制备方法和应用 [P].

胡文吉豪 ;

孟迪 ;

黄俊楠 ;

尹萍 ;

赵伟渲 ;

付亦铭 .

中国专利 :CN115814818B ,2024-04-05

[9]

一种半导体光催化材料Na0.23TiO2的制备方法 [P].

王景州 ;

周剑平 ;

陈启文 ;

康媛媛 .

中国专利 :CN109225193A ,2019-01-18

[10]

一种纳米金属硫化物复合半导体光催化材料的制备方法 [P].

张法智 ;

鲁瑞娟 ;

徐新 ;

徐赛龙 ;

段雪 .

中国专利 :CN101664686B ,2010-03-10

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