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Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110872694.8
申请日
:
2021-07-30
公开(公告)号
:
CN113594036A
公开(公告)日
:
2021-11-02
发明(设计)人
:
宁殿华
蒋胜
柳永胜
程新
申请人
:
申请人地址
:
215000 江苏省苏州市相城区高铁新城南天成路88号天成信息大厦601-A148室
IPC主分类号
:
H01L21335
IPC分类号
:
H01L2128
H01L29778
代理机构
:
苏州三英知识产权代理有限公司 32412
代理人
:
周仁青
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-11-02
公开
公开
2021-11-19
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/335 申请日:20210730
共 50 条
[1]
Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制造方法
[P].
宁殿华
论文数:
0
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机构:
苏州英嘉通半导体有限公司
苏州英嘉通半导体有限公司
宁殿华
;
蒋胜
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机构:
苏州英嘉通半导体有限公司
苏州英嘉通半导体有限公司
蒋胜
;
柳永胜
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机构:
苏州英嘉通半导体有限公司
苏州英嘉通半导体有限公司
柳永胜
;
程新
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机构:
苏州英嘉通半导体有限公司
苏州英嘉通半导体有限公司
程新
.
中国专利
:CN113594036B
,2025-01-07
[2]
Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制造方法
[P].
宁殿华
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机构:
苏州英嘉通半导体有限公司
苏州英嘉通半导体有限公司
宁殿华
;
蒋胜
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机构:
苏州英嘉通半导体有限公司
苏州英嘉通半导体有限公司
蒋胜
;
柳永胜
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机构:
苏州英嘉通半导体有限公司
苏州英嘉通半导体有限公司
柳永胜
;
程新
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机构:
苏州英嘉通半导体有限公司
苏州英嘉通半导体有限公司
程新
.
中国专利
:CN113628964B
,2024-03-12
[3]
Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制造方法
[P].
宁殿华
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宁殿华
;
蒋胜
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蒋胜
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柳永胜
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柳永胜
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程新
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程新
.
中国专利
:CN113628964A
,2021-11-09
[4]
Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制造方法
[P].
宁殿华
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宁殿华
;
蒋胜
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蒋胜
;
柳永胜
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柳永胜
;
程新
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程新
.
中国专利
:CN113628962A
,2021-11-09
[5]
Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制造方法
[P].
宁殿华
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宁殿华
;
蒋胜
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蒋胜
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柳永胜
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柳永胜
;
程新
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程新
.
中国专利
:CN113628963A
,2021-11-09
[6]
Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制造方法
[P].
宁殿华
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苏州英嘉通半导体有限公司
苏州英嘉通半导体有限公司
宁殿华
;
蒋胜
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机构:
苏州英嘉通半导体有限公司
苏州英嘉通半导体有限公司
蒋胜
;
柳永胜
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苏州英嘉通半导体有限公司
苏州英嘉通半导体有限公司
柳永胜
;
程新
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机构:
苏州英嘉通半导体有限公司
苏州英嘉通半导体有限公司
程新
.
中国专利
:CN113628963B
,2024-03-08
[7]
Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制造方法
[P].
宁殿华
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苏州英嘉通半导体有限公司
苏州英嘉通半导体有限公司
宁殿华
;
蒋胜
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机构:
苏州英嘉通半导体有限公司
苏州英嘉通半导体有限公司
蒋胜
;
柳永胜
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苏州英嘉通半导体有限公司
苏州英嘉通半导体有限公司
柳永胜
;
程新
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机构:
苏州英嘉通半导体有限公司
苏州英嘉通半导体有限公司
程新
.
中国专利
:CN113628962B
,2024-03-08
[8]
Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件
[P].
蔡勇
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蔡勇
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于国浩
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于国浩
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董志华
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董志华
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王越
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王越
;
张宝顺
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张宝顺
.
中国专利
:CN102427085A
,2012-04-25
[9]
Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件
[P].
张志利
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张志利
;
蔡勇
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蔡勇
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张宝顺
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张宝顺
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付凯
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付凯
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于国浩
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于国浩
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孙世闯
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孙世闯
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宋亮
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宋亮
.
中国专利
:CN106158949A
,2016-11-23
[10]
Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制作方法
[P].
张志利
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张志利
;
蔡勇
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蔡勇
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张宝顺
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张宝顺
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付凯
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付凯
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于国浩
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于国浩
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孙世闯
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孙世闯
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宋亮
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宋亮
.
中国专利
:CN106158948A
,2016-11-23
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