程序控温动态晶化制备阴离子层状晶体材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN00132146.3

申请日：

2000-12-14

公开(公告)号：

CN1358692A

公开(公告)日：

2002-07-17

发明(设计)人：

段雪矫庆泽李峰何静郭灿雄

申请人：

申请人地址：

100029北京市朝阳区北三环东路15号

IPC主分类号：

C04B35624

IPC分类号：

代理机构：

北京金圣联专利代理有限责任公司

代理人：

霍京华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-07-17	公开	公开
2001-06-06	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2010-02-10	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2004-03-17	授权	授权

共 50 条

[1]

均分散超细阴离子层状材料的新合成方法 [P].

段雪 ;

矫庆泽 ;

李蕾 .

中国专利 :CN1288078A ,2001-03-21

[2]

一种阴离子型层状材料固定化酶及其制备方法 [P].

段雪 ;

任玲玲 ;

何静 .

中国专利 :CN1459502A ,2003-12-03

[3]

一种连续制备纳米级阴离子层状材料的方法 [P].

曾虹燕 ;

赵策 ;

王亚举 ;

黄炎 ;

杨永杰 ;

魏英民 .

中国专利 :CN101905870A ,2010-12-08

[4]

全返混液膜反应器及其在制备超细阴离子层状材料中的应用 [P].

段雪 ;

矫庆泽 ;

李峰 ;

何静 ;

郭灿雄 .

中国专利 :CN1142117C ,2002-07-17

[5]

一种制备水滑石层状晶体材料用连续晶化反应装置 [P].

段雪 ;

李殿卿 ;

何俊玲 .

中国专利 :CN1566025A ,2005-01-19

[6]

阳离子层状材料的用途,含有这些材料的组合物以及阳离子层状材料的制备方法 [P].

P·奥康纳 ;

W·琼斯 ;

D·施塔米雷斯 .

中国专利 :CN100509634C ,2005-11-02

[7]

阴离子F掺杂改性富锂层状正极材料及制备方法 [P].

张海朗 .

中国专利 :CN108023089A ,2018-05-11

[8]

基于阴离子变价的层状氧化物晶体粉末及其制备方法和应用 [P].

祖丽皮亚·沙地克 ;

蔡鑫胤 ;

章俊良 ;

张瑞 ;

殷洁炜 .

中国专利 :CN117525355A ,2024-02-06

[9]

一种类聚阴离子的锂离子电池层状正极材料及其制备方法 [P].

李彪 ;

马进 ;

夏定国 .

中国专利 :CN103682270A ,2014-03-26

[10]

制备层状材料的方法和层状材料 [P].

M·B·比索夫 ;

A·布兰斯 ;

M·古斯 ;

C·B·海默尔 ;

T·G·W·克伦克 ;

T·特夫斯 ;

D·A·温泽尔 .

中国专利 :CN1805846A ,2006-07-19

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