半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110220340.1

申请日：

2011-08-03

公开(公告)号：

CN102915969A

公开(公告)日：

2013-02-06

发明(设计)人：

何永根吴金刚姚海标

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

孙宝海

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-02-06	公开	公开
2015-07-22	授权	授权
2013-03-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101413721631 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2011102203401 申请日:20110803

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

吴珑虎 .

中国专利 :CN101192541A ,2008-06-04

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101989548A ,2011-03-23

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

王欢 .

中国专利 :CN114496794A ,2022-05-13

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

山口直 .

日本专利 :CN118804677A ,2024-10-18

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

川嶋祥之 ;

桥本孝司 .

中国专利 :CN108807390A ,2018-11-13

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

山口直 .

中国专利 :CN107507864B ,2017-12-22

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

黄河 ;

克里夫·德劳利 ;

朱继光 .

中国专利 :CN108346686B ,2018-07-31

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

朱继光 .

中国专利 :CN108346657A ,2018-07-31

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

井上真雄 .

中国专利 :CN109786449A ,2019-05-21

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

津田是文 .

中国专利 :CN109860195A ,2019-06-07

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