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SRAM的6T存储单元结构
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201811515717.4
申请日
:
2018-12-12
公开(公告)号
:
CN109494223B
公开(公告)日
:
2019-03-19
发明(设计)人
:
周晓君
申请人
:
申请人地址
:
201315 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号
:
H01L2711
IPC分类号
:
H01L2702
代理机构
:
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
:
郭四华
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-04-13
授权
授权
2019-04-12
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11 申请日:20181212
2019-03-19
公开
公开
共 50 条
[1]
SRAM的存储单元结构
[P].
周晓君
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周晓君
.
中国专利
:CN109637570A
,2019-04-16
[2]
SRAM的存储单元结构
[P].
周晓君
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周晓君
.
中国专利
:CN109509752A
,2019-03-22
[3]
SRAM的存储单元结构
[P].
蒋建伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
蒋建伟
.
中国专利
:CN109887535B
,2019-06-14
[4]
SRAM的存储单元结构版图、SRAM的存储单元结构及其版图
[P].
周晓君
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周晓君
.
中国专利
:CN110400797A
,2019-11-01
[5]
SRAM的存储单元结构及阵列结构
[P].
周晓君
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周晓君
.
中国专利
:CN112201288A
,2021-01-08
[6]
SRAM的存储单元结构及阵列结构
[P].
周晓君
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
周晓君
.
中国专利
:CN112201288B
,2024-10-29
[7]
SRAM的存储单元
[P].
潘劲东
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
潘劲东
;
方伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
方伟
;
丁艳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
丁艳
;
魏芳伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
魏芳伟
;
陈双文
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈双文
.
中国专利
:CN103778953B
,2014-05-07
[8]
一种6T CMOS SRAM单元
[P].
梁擎擎
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
梁擎擎
;
钟汇才
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
钟汇才
.
中国专利
:CN102479545A
,2012-05-30
[9]
存储单元结构
[P].
卢超群
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
钰创科技股份有限公司
钰创科技股份有限公司
卢超群
.
中国专利
:CN119497379A
,2025-02-21
[10]
存储单元结构
[P].
卢超群
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
卢超群
.
中国专利
:CN113764418A
,2021-12-07
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