SRAM的6T存储单元结构

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201811515717.4
申请日
2018-12-12
公开(公告)号
CN109494223B
公开(公告)日
2019-03-19
发明(设计)人
周晓君
申请人
申请人地址
201315 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号
H01L2711
IPC分类号
H01L2702
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
郭四华
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
SRAM的存储单元结构 [P]. 
周晓君 .
中国专利 :CN109637570A ,2019-04-16
[2]
SRAM的存储单元结构 [P]. 
周晓君 .
中国专利 :CN109509752A ,2019-03-22
[3]
SRAM的存储单元结构 [P]. 
蒋建伟 .
中国专利 :CN109887535B ,2019-06-14
[4]
SRAM的存储单元结构版图、SRAM的存储单元结构及其版图 [P]. 
周晓君 .
中国专利 :CN110400797A ,2019-11-01
[5]
SRAM的存储单元结构及阵列结构 [P]. 
周晓君 .
中国专利 :CN112201288A ,2021-01-08
[6]
SRAM的存储单元结构及阵列结构 [P]. 
周晓君 .
中国专利 :CN112201288B ,2024-10-29
[7]
SRAM的存储单元 [P]. 
潘劲东 ;
方伟 ;
丁艳 ;
魏芳伟 ;
陈双文 .
中国专利 :CN103778953B ,2014-05-07
[8]
一种6T CMOS SRAM单元 [P]. 
梁擎擎 ;
钟汇才 .
中国专利 :CN102479545A ,2012-05-30
[9]
存储单元结构 [P]. 
卢超群 .
中国专利 :CN119497379A ,2025-02-21
[10]
存储单元结构 [P]. 
卢超群 .
中国专利 :CN113764418A ,2021-12-07