一种GaN纳米线锂离子电池负极材料的制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN201911077798.9
申请日
2019-11-06
公开(公告)号
CN110902660B
公开(公告)日
2020-03-24
发明(设计)人
倪世兵 许真 杨淑越 杨学林
申请人
申请人地址
443002 湖北省宜昌市西陵区大学路8号
IPC主分类号
H01M458
IPC分类号
H01M100525 H01M436 C01B2106 B82Y3000
代理机构
宜昌市三峡专利事务所 42103
代理人
成钢
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种Ga2O3/C纳米线锂离子电池负极材料的制备方法 [P]. 
倪世兵 ;
许真 ;
杨学林 .
中国专利 :CN110911672A ,2020-03-24
[2]
锂离子电池负极材料的制备方法 [P]. 
张永光 ;
张俊凡 .
中国专利 :CN109037642A ,2018-12-18
[3]
一种锂离子电池负极材料纳米MnO的制备方法 [P]. 
赵秀芸 ;
夏定国 ;
刘淑珍 .
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[4]
一种锂离子电池负极材料及其制备方法 [P]. 
丁昭郡 ;
李宝华 ;
贺艳兵 ;
褚晓东 ;
康飞宇 .
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[5]
一种新型锂离子电池负极材料的制备方法 [P]. 
李勇 ;
赵云 ;
马灿良 ;
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[6]
锂离子电池负极材料的制备方法、锂离子电池负极材料 [P]. 
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贾振永 ;
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[7]
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[8]
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曾晖 .
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[9]
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倪世兵 ;
许真 ;
陆俊霖 ;
徐杰 .
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[10]
一种锂离子电池负极材料及其制备方法 [P]. 
严微微 .
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