半导体结构及半导体结构的形成方法

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专利类型
发明
申请号
CN202010252539.1
申请日
2020-04-01
公开(公告)号
CN113496993A
公开(公告)日
2021-10-12
发明(设计)人
李志林
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L23528
IPC分类号
H01L21768
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
徐文欣
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体结构及半导体结构的形成方法 [P]. 
刘晓阳 .
中国专利 :CN117956783A ,2024-04-30
[2]
半导体结构的形成方法及半导体结构 [P]. 
刘志拯 .
中国专利 :CN114446869B ,2024-06-07
[3]
半导体结构及半导体结构的形成方法 [P]. 
甘露 ;
郑春生 ;
师兰芳 ;
张文广 ;
张华 .
中国专利 :CN113496874B ,2024-04-19
[4]
半导体结构及半导体结构的形成方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN113314601A ,2021-08-27
[5]
半导体结构及半导体结构的形成方法 [P]. 
神兆旭 ;
李阳 ;
郭俊伟 ;
尹悦 .
中国专利 :CN117954420A ,2024-04-30
[6]
半导体结构及半导体结构的形成方法 [P]. 
刘继全 .
中国专利 :CN117766512A ,2024-03-26
[7]
半导体结构及半导体结构的形成方法 [P]. 
李智 ;
张小燕 ;
陈亮 ;
杨林宏 .
中国专利 :CN117525111A ,2024-02-06
[8]
半导体结构的形成方法及半导体结构 [P]. 
杨谦 .
中国专利 :CN117995674A ,2024-05-07
[9]
半导体结构及半导体结构的形成方法 [P]. 
王能语 .
中国专利 :CN113725254A ,2021-11-30
[10]
半导体结构及半导体结构的形成方法 [P]. 
邢程 ;
王清蕴 .
中国专利 :CN113314490A ,2021-08-27