提高金属电极反射率的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01111187.9

申请日：

2001-04-09

公开(公告)号：

CN1149687C

公开(公告)日：

2002-09-04

发明(设计)人：

初国强刘星元刘云王立军

申请人：

申请人地址：

130022吉林省长春市人民大街140号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H05B3310 H05B3324

代理机构：

长春科宇专利代理有限责任公司

代理人：

李恩庆

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-05-12	授权	授权
2002-09-04	公开	公开
2007-06-06	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-06-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2002-11-27	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

一种高反射率的复合金属电极制备方法 [P].

韩丽丽 ;

唐先胜 ;

王兆伟 ;

宫卫华 ;

刘统玉 .

中国专利 :CN114843387A ,2022-08-02

[2]

反射率调整膜、层叠体及反射率调整膜的制造方法 [P].

小川雄平 ;

岸本智子 .

日本专利 :CN120457025A ,2025-08-08

[3]

一种低反射率镀膜玻璃及制备方法 [P].

赵永进 ;

马轶先 ;

邵长旭 ;

郭伟 .

中国专利 :CN110563342A ,2019-12-13

[4]

金属电极的制备方法、金属电极及显示面板 [P].

鲜济遥 ;

周佑联 ;

许哲豪 ;

袁海江 .

中国专利 :CN113053741A ,2021-06-29

[5]

金属电极 [P].

韩璧丞 ;

田相瑞 ;

程交 .

中国专利 :CN209826723U ,2019-12-24

[6]

金属电极 [P].

赵伯勋 .

中国专利 :CN87103916A ,1988-12-14

[7]

低反射率金属薄膜体 [P].

杨宁 .

中国专利 :CN2197360Y ,1995-05-17

[8]

金属电极的制造方法 [P].

谭芳 .

中国专利 :CN111725064A ,2020-09-29

[9]

金属电极的保护方法 [P].

吴超 ;

王官耀 ;

张远俊 ;

朱铭 ;

张英 .

中国专利 :CN111769251A ,2020-10-13

[10]

金属电极的沉积方法 [P].

逯心红 ;

郝润豹 ;

尚飞 .

中国专利 :CN108899756A ,2018-11-27

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