自对准石墨烯/黑磷晶体管结构的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510821612.1

申请日：

2015-11-24

公开(公告)号：

CN105428417A

公开(公告)日：

2016-03-23

发明(设计)人：

李平王刚张庆伟陈远富宋林财

申请人：

申请人地址：

610000 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2134

代理机构：

成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215

代理人：

刘勋

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20151124 授权公告日:20180703 终止日期:20201124
2016-03-23	公开	公开
2018-07-03	授权	授权
2016-04-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101656292575 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2015108216121 申请日:20151124

共 50 条

[1]

硅栅石墨烯/黑磷晶体管及制备方法 [P].

李平 ;

王刚 ;

张庆伟 ;

陈远富 .

中国专利 :CN105428416A ,2016-03-23

[2]

自对准石墨烯晶体管 [P].

林佑民 ;

K.A.詹金斯 ;

A.瓦尔德斯加西亚 .

中国专利 :CN102612751B ,2012-07-25

[3]

凹槽结构的悬空石墨烯沟道晶体管的制备方法 [P].

张文栋 ;

薛晨阳 ;

王永存 ;

熊继军 ;

刘俊 ;

刘耀英 ;

高立波 ;

王永华 .

中国专利 :CN103594378A ,2014-02-19

[4]

石墨烯晶体管电路装置及其制备方法 [P].

郭国平 ;

杨晖 ;

李海欧 ;

曹刚 ;

郭光灿 .

中国专利 :CN108987343A ,2018-12-11

[5]

石墨烯晶体管和制造石墨烯晶体管的方法 [P].

托马斯·詹姆士·巴德科克 ;

罗伯特·沃利斯 ;

艾弗·吉尼 ;

西蒙·托马斯 .

中国专利 :CN114284349A ,2022-04-05

[6]

石墨烯晶体管电路装置 [P].

郭国平 ;

杨晖 ;

李海欧 ;

曹刚 ;

郭光灿 .

中国专利 :CN208548341U ,2019-02-26

[7]

埋栅结构石墨烯晶体管的制备工艺 [P].

韩馨语 ;

何璐 .

中国专利 :CN117577532A ,2024-02-20

[8]

自对准晶体管的制备方法、自对准晶体管、器件及设备 [P].

吴恒 ;

葛延栋 ;

卢浩然 ;

王润声 ;

黎明 ;

黄如 .

中国专利 :CN117293090B ,2024-08-09

[9]

一种石墨烯晶体管的制备方法 [P].

魏芹芹 ;

崔晓锐 ;

尹金泽 ;

曹宇 ;

魏子钧 ;

赵华波 ;

傅云义 ;

黄如 ;

张兴 .

中国专利 :CN102339735A ,2012-02-01

[10]

金属石墨烯双面接触结构的制备方法及石墨烯晶体管 [P].

金智 ;

毛达诚 ;

王少青 ;

彭松昂 ;

史敬元 ;

张大勇 .

中国专利 :CN105914158B ,2016-08-31

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