薄膜磁传感器及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN200410047490.7
申请日
2004-05-28
公开(公告)号
CN1573349A
公开(公告)日
2005-02-02
发明(设计)人
小林伸圣 白川究 金田安司
申请人
申请人地址
日本宫城县
IPC主分类号
G01R3309
IPC分类号
H01L4308
代理机构
上海专利商标事务所
代理人
李家麟
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
薄膜磁传感器及其制造方法 [P]. 
小林伸圣 ;
白川究 ;
金田安司 .
中国专利 :CN1573350A ,2005-02-02
[2]
薄膜磁传感器及其制造方法 [P]. 
小山惠史 ;
今枝香织 .
中国专利 :CN102135605A ,2011-07-27
[3]
InSb薄膜磁传感器及其制造方法 [P]. 
柴崎一郎 ;
外贺宽崇 ;
冈本敦 .
中国专利 :CN101351902B ,2009-01-21
[4]
磁传感器及其制造方法 [P]. 
青建一 .
中国专利 :CN1311569C ,2004-09-08
[5]
磁传感器及其制造方法 [P]. 
柳升翰 ;
郑锺烈 ;
金官洙 .
中国专利 :CN104237812A ,2014-12-24
[6]
磁传感器及其制造方法 [P]. 
张振洪 .
中国专利 :CN104919328A ,2015-09-16
[7]
磁传感器及其制造方法 [P]. 
涌井幸夫 ;
吉田晋 ;
相曾功吉 .
中国专利 :CN100529789C ,2005-03-23
[8]
磁传感器及其制造方法 [P]. 
片冈诚 ;
角田胜己 ;
山县曜 ;
金山裕一 .
中国专利 :CN101421635B ,2009-04-29
[9]
磁传感器及其制造方法 [P]. 
渡部司也 ;
平林启 ;
太田宪和 .
日本专利 :CN120936237A ,2025-11-11
[10]
磁传感器及其制造方法 [P]. 
太田尚城 ;
高杉圭祐 .
中国专利 :CN108461627A ,2018-08-28