半导体装置

被引：0

申请号：

CN202210306165.6

申请日：

2022-03-25

公开(公告)号：

CN115377098A

公开(公告)日：

2022-11-22

发明(设计)人：

洼内源宜

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县川崎市

IPC主分类号：

H01L2707

IPC分类号：

H01L2706 H01L2702

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

周爽;金玉兰

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-22	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置 [P].

尾崎大辅 ;

白川彻 ;

阿形泰典 .

中国专利 :CN114127930A ,2022-03-01

[2]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

吉田崇一 .

日本专利 :CN119213568A ,2024-12-27

[3]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

各川敦史 ;

三塚要 ;

小田优喜 ;

白川彻 .

日本专利 :CN117913137A ,2024-04-19

[4]

半导体装置、半导体封装、半导体模块及半导体电路装置 [P].

佐藤宪一郎 .

日本专利 :CN110323273B ,2025-02-25

[5]

半导体装置、半导体封装、半导体模块及半导体电路装置 [P].

佐藤宪一郎 .

中国专利 :CN110323273A ,2019-10-11

[6]

半导体装置 [P].

田村隆博 ;

小野沢勇一 ;

高桥美咲 ;

三塚要 ;

尾崎大辅 ;

兼武昭徳 .

中国专利 :CN110785852A ,2020-02-11

[7]

半导体装置 [P].

三塚要 ;

白川彻 ;

安喰彻 ;

小野泽勇一 .

中国专利 :CN111834440A ,2020-10-27

[8]

半导体装置 [P].

吉田浩介 ;

内藤达也 ;

浜崎龙太郎 .

日本专利 :CN121040233A ,2025-11-28

[9]

半导体装置 [P].

中谷贵洋 ;

新田哲也 ;

大塚翔瑠 .

中国专利 :CN113451391A ,2021-09-28

[10]

半导体装置 [P].

本田成人 ;

中谷贵洋 ;

新田哲也 .

日本专利 :CN113764520B ,2024-11-22

← 1 2 3 4 5 →