具有高光谱调节范围的氧化钨电致变色薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711478200.8

申请日：

2017-12-29

公开(公告)号：

CN108298832B

公开(公告)日：

2018-07-20

发明(设计)人：

赵高凌谢君樑韩高荣

申请人：

申请人地址：

310013 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

C03C1734

IPC分类号：

代理机构：

杭州天勤知识产权代理有限公司 33224

代理人：

朱朦琪

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-03	授权	授权
2018-08-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C03C 17/34 申请日:20171229
2018-07-20	公开	公开

共 50 条

[1]

具有高光谱调节范围的钨基氧化物电致变色薄膜及其制备方法 [P].

赵高凌 ;

谢君樑 ;

韩高荣 .

中国专利 :CN107857484A ,2018-03-30

[2]

多孔氧化钨电致变色薄膜及其制备方法 [P].

姚爱华 ;

宋艳玲 .

中国专利 :CN113264690B ,2021-08-17

[3]

氧化钨基功能油墨及其制备方法、电致变色薄膜及器件 [P].

张洪亮 ;

周成 ;

曹鸿涛 ;

王纯建 ;

廖利 ;

杨文华 ;

李坤 ;

吴旭东 .

中国专利 :CN121064665A ,2025-12-05

[4]

一种氧化钨电致变色薄膜的制备方法 [P].

杨晔 ;

赵文凯 ;

宋伟杰 ;

兰品军 ;

李佳 .

中国专利 :CN110642526A ,2020-01-03

[5]

一种三氧化钨纳米阵列电致变色薄膜及其制备方法 [P].

王秀丽 ;

蔡国发 ;

周鼎 ;

谷长栋 ;

涂江平 .

中国专利 :CN103395842A ,2013-11-20

[6]

一种纳米氧化钨电致变色薄膜的制备方法 [P].

邹友生 ;

窦康 ;

曾海波 ;

王沙龙 ;

董宇航 .

中国专利 :CN105366954B ,2016-03-02

[7]

一种氧化钨电致变色电极的制备方法 [P].

王宏志 ;

谢昌嵩 ;

李策 ;

李然 ;

张青红 ;

侯成义 ;

林改 .

中国专利 :CN108663868A ,2018-10-16

[8]

一种氧化钨电致变色薄膜材料及其制备方法 [P].

张勇 ;

史英迪 ;

汤凯 ;

宋艳斌 ;

崔接武 ;

王岩 ;

秦永强 ;

舒霞 ;

吴玉程 .

中国专利 :CN110040976B ,2019-07-23

[9]

长寿命宽波段氧化钨电致变色薄膜及其制备方法和应用 [P].

刘涌 ;

程子强 ;

赵方园 ;

孙梦涛 ;

周昼 ;

曾宇 ;

韩高荣 .

中国专利 :CN116449622B ,2025-07-11

[10]

一种宽带光学调制氧化钨电致变色薄膜的制备方法及其产品和应用 [P].

王金敏 ;

陈妍 ;

马董云 ;

祝向荣 ;

林东海 .

中国专利 :CN115745420B ,2024-03-22

← 1 2 3 4 5 →