薄膜晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710089749.8

申请日：

2007-03-23

公开(公告)号：

CN101271923B

公开(公告)日：

2008-09-24

发明(设计)人：

赖钦诠吴泉毅蔡依芸

申请人：

申请人地址：

中国台湾台北市中山北路三段二十二号

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2904 H01L2945

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

左一平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-09-24	公开	公开
2010-12-08	授权	授权
2021-03-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20070323 授权公告日:20101208 终止日期:20200323

共 50 条

[1]

薄膜晶体管 [P].

张源 .

中国专利 :CN109935627A ,2019-06-25

[2]

薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法 [P].

岸田悠治 ;

川岛孝启 ;

钟之江有宣 ;

河内玄士朗 .

中国专利 :CN102959712A ,2013-03-06

[3]

薄膜晶体管结构 [P].

胡典禄 ;

陈建荣 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

黄亚清 ;

李建华 .

中国专利 :CN104576750A ,2015-04-29

[4]

薄膜晶体管基底和用于薄膜晶体管基底的薄膜晶体管 [P].

是成贵弘 ;

田边浩 .

中国专利 :CN101989619A ,2011-03-23

[5]

薄膜晶体管基底和用于薄膜晶体管基底的薄膜晶体管 [P].

是成贵弘 ;

田边浩 .

中国专利 :CN104409517A ,2015-03-11

[6]

薄膜晶体管 [P].

Y·李 ;

B·S·翁 .

中国专利 :CN101162737B ,2008-04-16

[7]

薄膜晶体管 [P].

石原俊一 ;

大利博和 ;

广冈政昭 ;

半那纯一 ;

清水勇 .

中国专利 :CN86108693A ,1987-08-12

[8]

薄膜晶体管 [P].

姜一俊 ;

曹煐美 .

中国专利 :CN104241391B ,2014-12-24

[9]

薄膜晶体管 [P].

姜开利 ;

李群庆 ;

范守善 .

中国专利 :CN101582450A ,2009-11-18

[10]

薄膜晶体管 [P].

金元浩 ;

李群庆 ;

范守善 .

中国专利 :CN105097939A ,2015-11-25

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