具有自对准结构的垂直栅半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03819360.4

申请日：

2003-07-28

公开(公告)号：

CN100438071C

公开(公告)日：

2005-09-28

发明(设计)人：

戈登·M·格里芙娜

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-09-28	公开	公开
2005-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2021-07-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20030728 授权公告日:20081126 终止日期:20200728
2008-11-26	授权	授权

共 50 条

[1]

具有自对准外延源和漏的多栅半导体器件 [P].

A.卡佩拉尼 ;

T.加尼 ;

K-Y.沈 ;

A.S.墨菲 ;

H.戈麦斯 .

中国专利 :CN104992979B ,2015-10-21

[2]

具有自对准外延源和漏的多栅半导体器件 [P].

A.卡佩拉尼 ;

T.加尼 ;

K-Y.沈 ;

A.S.墨菲 ;

H.戈麦斯 .

中国专利 :CN102656672A ,2012-09-05

[3]

具有自对准栅结构的半导体器件及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

万光星 .

中国专利 :CN105609421A ,2016-05-25

[4]

制造具有垂直栅的半导体器件的方法 [P].

朴正熙 .

中国专利 :CN102867752A ,2013-01-09

[5]

具有垂直沟道结构的半导体器件 [P].

李昌炫 ;

朴镇泽 ;

朴泳雨 .

中国专利 :CN104425511A ,2015-03-18

[6]

具有自对准触点半导体器件的制造方法 [P].

潘涍同 ;

崔铉哲 ;

崔昌植 .

中国专利 :CN1426101A ,2003-06-25

[7]

具有自对准电容器器件的半导体器件结构 [P].

P·巴尔斯 ;

H-J·特斯 .

中国专利 :CN107799534B ,2018-03-13

[8]

具有自对准通孔的半导体器件 [P].

陈建汉 ;

邱建智 ;

梁明中 .

中国专利 :CN111128855A ,2020-05-08

[9]

具有栅氧优化结构的功率半导体器件 [P].

陈龙 .

中国专利 :CN215731674U ,2022-02-01

[10]

用于半导体器件的自对准结构、半导体结构及其形成方法 [P].

江国诚 ;

王志豪 ;

朱熙甯 ;

程冠伦 ;

潘冠廷 .

中国专利 :CN109427776B ,2019-03-05

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