一种制备高纯金属的电解槽

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201420280444.0
申请日
2014-05-28
公开(公告)号
CN203904469U
公开(公告)日
2014-10-29
发明(设计)人
蔡振平 陈松 郎书玲 吴延科 王力军
申请人
申请人地址
100088 北京市西城区新街口外大街2号
IPC主分类号
C25C100
IPC分类号
C25C704
代理机构
北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100
代理人
朱丽华
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
一种制备高纯金属的电解槽及使用方法 [P]. 
蔡振平 ;
陈松 ;
郎书玲 ;
吴延科 ;
王力军 .
中国专利 :CN105274577A ,2016-01-27
[2]
一种制备高纯金属/化合物的隔膜电解槽 [P]. 
金炳界 ;
王帆 ;
何昆芸 ;
杨金磊 ;
徐兴宇 ;
曹育菡 .
中国专利 :CN220846310U ,2024-04-26
[3]
用于高纯金属镍电积冶炼的电解槽 [P]. 
朱康玲 ;
李桂生 ;
崔源发 .
中国专利 :CN201158715Y ,2008-12-03
[4]
一种高纯金属镍电积的冶炼工艺及其电解槽 [P]. 
朱康玲 ;
李桂生 ;
崔源发 ;
易贤荣 ;
朱晓宏 .
中国专利 :CN101240429A ,2008-08-13
[5]
一种制备高纯金属的电解装置 [P]. 
姚春玲 ;
刘振楠 ;
范兴祥 ;
刘聪 ;
李亚东 ;
黄卉 ;
张淞源 ;
杨志鸿 ;
程涌 ;
保思敏 .
中国专利 :CN211620641U ,2020-10-02
[6]
一种金属锂电解槽装置 [P]. 
孔小星 ;
张文静 ;
袁崇凯 ;
类成存 ;
杨睿君 ;
宋森鹏 ;
田萍 .
中国专利 :CN220952102U ,2024-05-14
[7]
一种制备高纯金属钠的电解单元 [P]. 
唐光盛 ;
朱睿 ;
阴宛珊 ;
刘虹邑 ;
方源 .
中国专利 :CN207904380U ,2018-09-25
[8]
一种电解制备金属钠装置的阴极电解槽 [P]. 
阴宛珊 ;
袁小武 ;
张全生 ;
王淼 ;
党国举 ;
江瑜 .
中国专利 :CN204644480U ,2015-09-16
[9]
一种制备高纯钴的隔膜电解槽 [P]. 
刘丹 ;
贺昕 ;
熊晓东 ;
李轶轁 ;
滕海涛 ;
陈斐 ;
吴聪 ;
吴松 .
中国专利 :CN203200349U ,2013-09-18
[10]
一种制备高纯金属钠的电解装置 [P]. 
唐光盛 ;
朱睿 ;
阴宛珊 .
中国专利 :CN207760432U ,2018-08-24