磁电子器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200380104188.4

申请日：

2003-11-14

公开(公告)号：

CN1717799A

公开(公告)日：

2006-01-04

发明(设计)人：

马克·A·杜尔拉姆杰弗里·H·贝克布赖恩·R·布彻马克·F·德赫尔雷拉约翰·J·蒂′乌尔索厄尔·D·富克斯格雷戈里·W·格里恩凯维希凯利·W·凯勒杰伊纳尔·A·莫拉 J·杰克·任尼古拉斯·D·里佐

申请人：

申请人地址：

美国得克萨斯

IPC主分类号：

H01L218246

IPC分类号：

G11C1115 G11C1116

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

樊卫民;钟强

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

电子器件及其制造方法 [P].

渡边真司 ;

山口幸雄 .

中国专利 :CN100543953C ,2006-11-15

[2]

电子器件及其制造方法 [P].

金晃衍 .

韩国专利 :CN113809119B ,2024-05-28

[3]

电子器件及其制造方法 [P].

张红梅 ;

刘梦雪 .

中国专利 :CN111524818A ,2020-08-11

[4]

电子器件及其制造方法 [P].

M·A·德萨姆伯 ;

J·W·维坎普 .

中国专利 :CN100459116C ,2005-07-27

[5]

电子器件及其制造方法 [P].

G·威廉姆斯 .

中国专利 :CN104183784A ,2014-12-03

[6]

电子器件及其制造方法 [P].

栎原勉 ;

椿健治 ;

久保雅男 ;

越田信义 .

中国专利 :CN102792411A ,2012-11-21

[7]

电子器件及其制造方法 [P].

角田雄二 ;

水谷浩 .

中国专利 :CN101174598A ,2008-05-07

[8]

电子器件及其制造方法 [P].

李永三 .

韩国专利 :CN112768487B ,2025-02-07

[9]

电子器件及其制造方法 [P].

S·M·加纳 ;

G·S·格莱泽曼 ;

M·L·波利 .

中国专利 :CN101535039B ,2009-09-16

[10]

电子器件及其制造方法 [P].

中村敬彥 ;

佐藤惠二 ;

竹内均 ;

寺田大辅 ;

荒武洁 ;

沼田理志 .

中国专利 :CN101938263B ,2011-01-05

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-03-01	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-01-04	公开	公开
2009-06-17	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) 变更事项:专利权人变更前权利人:飞思卡尔半导体公司变更后权利人:爱沃斯宾技术公司变更事项:地址变更前:美国得克萨斯变更后:美国亚利桑那州登记生效日:20090508
2011-02-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101035916081 IPC(主分类):H01L 21/8246 专利号:ZL2003801041884 申请日:20031114 授权公告日:20070801 终止日期:20091214
2007-08-01	授权	授权