红光激光器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780016714.X

申请日：

2007-03-07

公开(公告)号：

CN101454954A

公开(公告)日：

2009-06-10

发明(设计)人：

玛丽·K·勃伦纳克莱因·L·约翰逊

申请人：

申请人地址：

美国明尼苏达州

IPC主分类号：

H01S500

IPC分类号：

H01L310256 H01S3082 H01S5183

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

王波波

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-04-11	授权	授权
2009-08-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-06-10	公开	公开

共 50 条

[1]

垂直腔面发射激光器及制造垂直腔面发射激光器的方法 [P].

藤井慧 ;

住友隆道 ;

有方卓 .

中国专利 :CN110875573A ,2020-03-10

[2]

垂直腔面发射激光器及制造垂直腔面发射激光器的方法 [P].

藤井慧 ;

住友隆道 ;

有方卓 .

日本专利 :CN110875573B ,2024-06-14

[3]

面发射激光器 [P].

斯里尼瓦斯·甘德罗图拉 .

日本专利 :CN120814128A ,2025-10-17

[4]

表面发射激光器、表面发射激光器的制造方法 [P].

斯里尼瓦斯·甘德罗图拉 .

日本专利 :CN118975076A ,2024-11-15

[5]

红外半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法 [P].

赵勇明 ;

董建荣 ;

李奎龙 ;

孙玉润 ;

曾徐路 ;

于淑珍 ;

赵春雨 ;

杨辉 .

中国专利 :CN103401144B ,2013-11-20

[6]

面发射激光器及面发射激光器的制造方法 [P].

斯里尼瓦斯·甘德罗图拉 .

日本专利 :CN120836123A ,2025-10-24

[7]

面发射激光器及制造面发射激光器的方法 [P].

斯里尼瓦斯·甘德罗图拉 .

日本专利 :CN120693755A ,2025-09-23

[8]

半导体红光激光器 [P].

张立群 ;

黄勇 .

中国专利 :CN214379252U ,2021-10-08

[9]

单模垂直腔面发射激光器芯片 [P].

刘凯 ;

董晓雯 ;

钟云凤 ;

黄永清 ;

段晓峰 ;

王琦 ;

任晓敏 .

中国专利 :CN114825041B ,2025-01-14

[10]

单模垂直腔面发射激光器芯片 [P].

刘凯 ;

董晓雯 ;

钟云凤 ;

黄永清 ;

段晓峰 ;

王琦 ;

任晓敏 .

中国专利 :CN114825041A ,2022-07-29

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