纳米多孔铜/Cu(OH)2纳米线阵列传感器电极材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610645396.4

申请日：

2016-08-08

公开(公告)号：

CN106226382B

公开(公告)日：

2016-12-14

发明(设计)人：

刘雄军李睿王辉吴渊吕昭平

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区学院路30号

IPC主分类号：

G01N2748

IPC分类号：

G01N2730 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

北京金智普华知识产权代理有限公司 11401

代理人：

皋吉甫

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-14	公开	公开
2018-07-31	授权	授权
2017-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101696051192 IPC(主分类):G01N 27/48 专利申请号:2016106453964 申请日:20160808

共 50 条

[1]

一种纳米多孔镍铜/非晶复合电极材料及其制备方法 [P].

刘雄军 ;

李志斌 ;

王晶 ;

王辉 ;

吴渊 ;

吕昭平 .

中国专利 :CN109023412A ,2018-12-18

[2]

纳米多孔铜复合材料及其制备方法 [P].

康建立 ;

王亚革 ;

周涛 ;

乔志军 ;

张志佳 ;

于镇洋 .

中国专利 :CN107739869A ,2018-02-27

[3]

一种纳米线阵列干涉传感器及其制备方法 [P].

李秋顺 ;

董文飞 ;

史建国 ;

郑晖 ;

李恒杰 ;

马耀宏 .

中国专利 :CN103983611B ,2014-08-13

[4]

纳米多孔钴电极材料及其制备方法 [P].

秦凤香 ;

陈彦南 ;

陈峰 ;

池昱晨 ;

王杭宁 .

中国专利 :CN114530333A ,2022-05-24

[5]

纳米多孔钴电极材料及其制备方法 [P].

秦凤香 ;

陈彦南 ;

陈峰 ;

池昱晨 ;

王杭宁 .

中国专利 :CN114530333B ,2024-04-19

[6]

纳米多孔铜负载氧化铜纳米片阵列复合材料及其制备方法 [P].

刘元锋 ;

侯泽成 ;

陈璐 ;

朱琳 ;

李文珍 .

中国专利 :CN110963523A ,2020-04-07

[7]

纳米线电极材料及其制备方法和应用 [P].

张在磊 ;

马闻达 ;

卢宪茂 .

中国专利 :CN109108276B ,2019-01-01

[8]

负载有Cu2O-CuO纳米线阵列的复合材料及其制备方法和生物传感器及其应用 [P].

渠凤丽 ;

吴静华 .

中国专利 :CN110849953A ,2020-02-28

[9]

碳纳米管阵列传感器及其制备方法 [P].

姚湲 .

中国专利 :CN101811658B ,2010-08-25

[10]

四氧化三钴多孔纳米线阵列的超级电容器电极材料及其制备方法 [P].

韩丹丹 ;

徐鹏程 ;

丁元生 ;

程振玉 .

中国专利 :CN104681299B ,2015-06-03

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