沟槽功率器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310385747.9

申请日：

2013-08-29

公开(公告)号：

CN103441149A

公开(公告)日：

2013-12-11

发明(设计)人：

吴亚贞刘宪周

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587809435 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2013103857479 申请日:20130829
2013-12-11	公开	公开
2014-05-28	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101701230245 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2013103857479 变更事项:申请人变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号变更后权利人:201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140504
2017-06-16	授权	授权

共 50 条

[1]

沟槽功率器件及其制作方法 [P].

刘宪周 .

中国专利 :CN103839780A ,2014-06-04

[2]

沟槽功率器件及其制作方法 [P].

刘宪周 .

中国专利 :CN103871840A ,2014-06-18

[3]

沟槽功率器件及其制作方法 [P].

沈思杰 ;

黄锦才 .

中国专利 :CN103871901A ,2014-06-18

[4]

沟槽功率器件及制作方法 [P].

杨彦涛 ;

陶玉美 ;

赵学锋 ;

汤光洪 ;

罗永华 .

中国专利 :CN106024697A ,2016-10-12

[5]

沟槽功率器件及制作方法 [P].

杨彦涛 ;

王平 ;

夏志平 ;

李云飞 ;

周艳春 .

中国专利 :CN106024701A ,2016-10-12

[6]

沟槽功率器件的制作方法 [P].

沈思杰 ;

张怡 .

中国专利 :CN103021869A ,2013-04-03

[7]

沟槽功率器件及制作方法 [P].

杨彦涛 ;

陶玉美 ;

赵学锋 ;

汤光洪 ;

罗永华 .

中国专利 :CN106024697B ,2024-01-26

[8]

沟槽功率器件及制作方法 [P].

杨彦涛 ;

赵金波 ;

陈琛 ;

梅良波 ;

彭博威 .

中国专利 :CN106057681A ,2016-10-26

[9]

沟槽功率器件及制作方法 [P].

杨彦涛 ;

向璐 ;

王珏 ;

曹俊 ;

吕焕秀 .

中国专利 :CN106024696A ,2016-10-12

[10]

沟槽功率器件及制作方法 [P].

杨彦涛 ;

夏志平 ;

陈元金 ;

陈文伟 ;

李庆华 .

中国专利 :CN106024609B ,2016-10-12

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