一种纯硅沸石膜及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011177160.5

申请日：

2020-10-28

公开(公告)号：

CN112279265A

公开(公告)日：

2021-01-29

发明(设计)人：

吴苏州陈俊孚任嵬

申请人：

申请人地址：

430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区关东工业园达瑞路2号众创楼一楼110室

IPC主分类号：

C01B3904

IPC分类号：

C01B3702

代理机构：

深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525

代理人：

李明香

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-29	公开	公开
2021-02-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 39/04 申请日:20201028
2021-10-26	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C01B 39/04 申请公布日:20210129

共 50 条

[1]

一种纯硅沸石膜及其制备方法和应用 [P].

刘金梅 ;

吴苏州 ;

陈俊孚 ;

任嵬 .

中国专利 :CN113788483A ,2021-12-14

[2]

一种纯硅沸石复合膜及其制备方法和应用 [P].

吴苏州 ;

陈俊孚 ;

任嵬 .

中国专利 :CN112387130A ,2021-02-23

[3]

一种纯硅沸石膜复合体及其制备方法 [P].

张惠宝 ;

赵忆娜 .

中国专利 :CN108654321A ,2018-10-16

[4]

一种纯硅沸石基纳米银复合材料及其制备方法和催化应用 [P].

李庆 ;

刘胜 ;

雷福厚 ;

段文贵 ;

彭华玲 ;

梁玉霖 ;

郭宇娟 ;

陈荣华 .

中国专利 :CN113275007A ,2021-08-20

[5]

一种高分离选择性纯硅沸石复合膜及其制备方法 [P].

肖伟 ;

彭辉 .

中国专利 :CN109745871A ,2019-05-14

[6]

一种磁性高比表面积高硅沸石及其制备方法和应用 [P].

王程 ;

冷少争 ;

徐媛 ;

张雪萌 ;

田秦月 ;

黄剑锋 ;

曹丽云 .

中国专利 :CN108079939B ,2018-05-29

[7]

一种银团簇沸石及其制备方法和应用 [P].

高峻峰 ;

李睿 ;

冯志顺 ;

李世济 ;

何天宇 .

中国专利 :CN119303111B ,2025-10-14

[8]

一种银团簇沸石及其制备方法和应用 [P].

高峻峰 ;

李睿 ;

冯志顺 ;

李世济 ;

何天宇 .

中国专利 :CN119303111A ,2025-01-14

[9]

使用了MFI型沸石(纯硅沸石)的分离膜的制造方法 [P].

矢野和宏 ;

板仓正也 ;

筱矢健太郎 ;

今坂怜史 .

中国专利 :CN109195693A ,2019-01-11

[10]

一种硅锆复合溶胶及其制备方法和应用 [P].

吴永玲 ;

李从健 ;

窦跃华 ;

周博 ;

周玉芬 .

中国专利 :CN114477192A ,2022-05-13

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