多层陶瓷电子组件及制造多层陶瓷电子组件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111084867.6

申请日：

2021-09-16

公开(公告)号：

CN114255993A

公开(公告)日：

2022-03-29

发明(设计)人：

卢贞恩任志爀金钟允李银贞

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01G430

IPC分类号：

H01G4012 H01G4228

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

刘力夫;包国菊

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-29	公开	公开

共 50 条

[1]

多层陶瓷电子组件及制造多层陶瓷电子组件的方法 [P].

卢贞恩 ;

任志爀 ;

金钟允 ;

李银贞 .

韩国专利 :CN114255993B ,2025-08-29

[2]

多层陶瓷电子组件及制造多层陶瓷电子组件的方法 [P].

车炅津 ;

金正烈 ;

李炅烈 ;

吴泳俊 ;

康孝旻 ;

金埈旿 .

中国专利 :CN110838406B ,2020-02-25

[3]

多层陶瓷电子组件及制造多层陶瓷电子组件的方法 [P].

车炅津 ;

李承熙 ;

吴范奭 ;

金广植 ;

金东勳 ;

李种晧 ;

文先载 .

中国专利 :CN110676052A ,2020-01-10

[4]

制造多层陶瓷电子组件的方法及多层陶瓷电子组件 [P].

郑凤俊 ;

金斗永 ;

洪奇杓 ;

金釉娜 ;

崔惠英 .

中国专利 :CN107316742A ,2017-11-03

[5]

多层陶瓷电子组件及制造多层陶瓷电子组件的方法 [P].

禹锡均 ;

车炅津 ;

金正烈 ;

赵志弘 .

中国专利 :CN112712999A ,2021-04-27

[6]

多层陶瓷电子组件及制造多层陶瓷电子组件的方法 [P].

崔惠英 ;

李在玹 ;

具贤熙 ;

金善雄 .

中国专利 :CN110544585A ,2019-12-06

[7]

多层陶瓷电子组件及制造多层陶瓷电子组件的方法 [P].

禹锡均 ;

车炅津 ;

金正烈 ;

赵志弘 .

中国专利 :CN111063540A ,2020-04-24

[8]

多层陶瓷电子组件及制造该多层陶瓷电子组件的方法 [P].

车炅津 ;

权亨纯 ;

赵志弘 .

中国专利 :CN110858516B ,2020-03-03

[9]

多层陶瓷电子组件和制造多层陶瓷电子组件的方法 [P].

朴今珍 ;

崔畅学 ;

李治和 ;

刘正勋 ;

辛敏基 .

中国专利 :CN106158366A ,2016-11-23

[10]

多层陶瓷电子组件以及制造该多层陶瓷电子组件的方法 [P].

李承澔 ;

金锺翰 ;

李旼坤 ;

李崙熙 ;

李成焕 .

中国专利 :CN105206422A ,2015-12-30

← 1 2 3 4 5 →