一种抗SRAM FPGA器件SEU的电路及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010162409.5

申请日：

2010-04-28

公开(公告)号：

CN101826038B

公开(公告)日：

2010-09-08

发明(设计)人：

谢婧来金梅

申请人：

申请人地址：

200433 上海市邯郸路220号

IPC主分类号：

G06F1110

IPC分类号：

代理机构：

上海正旦专利代理有限公司 31200

代理人：

陆飞;盛志范

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-09-08	公开	公开
2011-03-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101059487839 IPC(主分类):G06F 11/10 专利申请号:2010101624095 申请日:20100428
2012-02-08	授权	授权

共 50 条

[1]

抗单粒子翻转的SRAM型FPGA刷新电路及刷新方法 [P].

冯汝鹏 ;

徐伟 ;

郑晓云 ;

朴永杰 ;

王绍举 ;

徐拓奇 ;

金光 .

中国专利 :CN104051002A ,2014-09-17

[2]

一种SRAM型FPGA器件单粒子反转探测及纠错的电路 [P].

朱璟辉 ;

高三达 .

中国专利 :CN106301334A ,2017-01-04

[3]

一种抗单粒子加固的SRAM单元及SRAM器件 [P].

刘红侠 ;

剧承远 ;

韩婷婷 ;

田密 ;

朱伟强 .

中国专利 :CN113192548A ,2021-07-30

[4]

一种SRAM型FPGA SEU运行中修复的方法 [P].

王宁 ;

康旭辉 ;

申景诗 ;

赵雪纲 ;

辛明瑞 .

中国专利 :CN103389917B ,2013-11-13

[5]

抗单粒子翻转的加固SRAM电路 [P].

杨海钢 ;

李天文 ;

蔡刚 .

中国专利 :CN106328189A ,2017-01-11

[6]

一种SRAM型FPGA触发器抗单粒子效应性能评估系统及方法 [P].

李学武 ;

冯长磊 ;

朱志强 ;

张进成 ;

陈雷 ;

张帆 ;

孙雷 ;

王媛媛 .

中国专利 :CN105717443A ,2016-06-29

[7]

基于ECC纠错码的FPGA抗单粒子翻转快速刷新电路及方法 [P].

张衡 ;

高媛 ;

王凤娇 ;

邹波 ;

黄勇 ;

周郁 .

中国专利 :CN106293991A ,2017-01-04

[8]

FPGA配置FLASH芯片抗单粒子翻转电路及方法 [P].

周少骞 ;

罗小成 ;

姚崇斌 ;

秦芳 ;

李洪星 ;

向前 .

中国专利 :CN113380294A ,2021-09-10

[9]

FPGA配置FLASH芯片抗单粒子翻转电路及方法 [P].

周少骞 ;

罗小成 ;

姚崇斌 ;

秦芳 ;

李洪星 ;

向前 .

中国专利 :CN113380294B ,2024-10-11

[10]

一种基于极性加固技术的抗辐照SRAM存储电路 [P].

卢文娟 ;

刘海涛 ;

朱志国 ;

吕盼稂 ;

赵强 ;

彭春雨 ;

郝礼才 ;

蔺智挺 ;

吴秀龙 .

中国专利 :CN114496026B ,2025-02-14

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