一种高倍率型单晶镍钴锰酸锂正极材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811417199.2

申请日：

2018-11-26

公开(公告)号：

CN109509875B

公开(公告)日：

2019-03-22

发明(设计)人：

史俊李道聪夏昕杨茂萍丁楚雄何磊

申请人：

申请人地址：

230011 安徽省合肥市新站区岱河路599号

IPC主分类号：

H01M436

IPC分类号：

H01M4485 H01M4505 H01M4525 H01M462 H01M100525

代理机构：

合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115

代理人：

张名列;金凯

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-10	授权	授权
2019-04-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01M 4/36 申请日:20181126
2019-03-22	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高倍率镍钴锰酸锂正极材料及其制备方法 [P].

徐从胜 ;

王广进 ;

胡刚刚 ;

倪国华 ;

朱二涛 ;

戴首 ;

吴金林 .

中国专利 :CN109786695A ,2019-05-21

[2]

一种低成本高倍率的镍钴锰正极材料、制备方法及其应用 [P].

张玉军 ;

邵洪源 ;

张洁 .

中国专利 :CN118335967A ,2024-07-12

[3]

一种镍钴锰酸锂单晶正极材料及其制备方法 [P].

龙君君 ;

王宇琪 ;

高明昊 ;

李道聪 ;

曾晖 .

中国专利 :CN116409825B ,2025-04-04

[4]

一种改性镍钴锰酸锂正极材料及其制备方法 [P].

王文阁 ;

宋春华 ;

王瑛 ;

乔文灿 ;

赵成龙 ;

高洪森 ;

冯涛 ;

黄振法 .

中国专利 :CN105789615A ,2016-07-20

[5]

一种高镍单晶镍钴锰酸锂正极材料及其制备方法 [P].

郭燕平 ;

冯玉洁 ;

蒋晓锋 ;

敬军臣 ;

彭正宇 ;

张红霞 ;

刘津荣 .

中国专利 :CN115036501A ,2022-09-09

[6]

一种高镍单晶镍钴锰酸锂正极材料及其制备方法 [P].

郭燕平 ;

冯玉洁 ;

蒋晓锋 ;

敬军臣 ;

彭正宇 ;

张红霞 ;

刘津荣 .

中国专利 :CN115036501B ,2024-08-13

[7]

镍钴锰酸锂圆柱型高倍率电池及其制备方法 [P].

朱全健 ;

苑泽保 ;

张铭 .

中国专利 :CN103413975B ,2013-11-27

[8]

镍钴锰酸锂圆柱型高倍率电池 [P].

朱全健 ;

苑泽保 ;

张铭 .

中国专利 :CN203434247U ,2014-02-12

[9]

离子掺杂、包覆的镍钴锰酸锂正极材料及其制备方法 [P].

许开华 ;

叶建 ;

张云河 .

中国专利 :CN109713245A ,2019-05-03

[10]

一种单晶镍钴锰酸锂正极材料 [P].

钟欢 ;

龚黎明 ;

夏晟 ;

任浩华 .

中国专利 :CN115188940B ,2024-11-01

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