基于一维纳米材料的光电转换器件

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专利类型
发明
申请号
CN200710038026.5
申请日
2007-03-13
公开(公告)号
CN101022137A
公开(公告)日
2007-08-22
发明(设计)人
张亚非 陈长鑫 刘丽月
申请人
申请人地址
200240上海市闵行区东川路800号
IPC主分类号
H01L31042
IPC分类号
H01L31078
代理机构
上海交达专利事务所
代理人
王锡麟;张宗明
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
基于一维纳米材料的光电转换器件 [P]. 
杜银霄 ;
许坤 ;
刘林 ;
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[2]
光电转换器件及光电转换器件的制造方法 [P]. 
吉田宽则 ;
谷田部透 ;
榎本正 ;
影山正光 .
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[3]
光电转换器件 [P]. 
姜文盛 ;
李知爱 ;
宋守彬 ;
郑柱湜 .
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[4]
纳米粒子材料和光电转换器件 [P]. 
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[5]
光电转换器件和光电转换器件模块 [P]. 
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多田圭志 .
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[6]
光电转换器件 [P]. 
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[7]
光电转换器件 [P]. 
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[8]
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[9]
光电转换器件 [P]. 
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[10]
一种基于硅纳米结构的光电转换器件 [P]. 
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