磁场传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810726983.5

申请日：

2018-07-05

公开(公告)号：

CN109212439A

公开(公告)日：

2019-01-15

发明(设计)人：

J·施密特

申请人：

申请人地址：

百慕大群岛(英)哈密尔顿

IPC主分类号：

G01R3309

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

周阳君

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-25	授权	授权
2019-01-15	公开	公开
2021-08-17	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):G01R 33/09 登记生效日:20210805 变更事项:专利权人变更前权利人:亚德诺半导体无限责任公司变更后权利人:亚德诺半导体国际无限责任公司变更事项:地址变更前权利人:爱尔兰利默里克变更后权利人:爱尔兰利默里克
2019-02-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 33/09 申请日:20180705
2021-08-17	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G01R 33/09 变更事项:专利权人变更前:亚德诺半导体集团变更后:亚德诺半导体无限责任公司变更事项:地址变更前:百慕大群岛(英)哈密尔顿变更后:爱尔兰利默里克

共 50 条

[1]

磁场传感器 [P].

M.莫茨 ;

W.舍尔 .

中国专利 :CN105929343B ,2016-09-07

[2]

磁场传感器 [P].

宋国明 ;

林文胜 ;

林君龙 .

中国专利 :CN106353703A ,2017-01-25

[3]

磁场传感器 [P].

C·鲍尔 .

中国专利 :CN101680777A ,2010-03-24

[4]

磁场传感器 [P].

W.拉贝格 .

中国专利 :CN105785290A ,2016-07-20

[5]

磁场传感器 [P].

李彩珍 .

中国专利 :CN200986484Y ,2007-12-05

[6]

磁场传感器 [P].

J-F·兰森 ;

D·施莱夫利 .

中国专利 :CN113574403B ,2021-10-29

[7]

磁场传感器 [P].

罗伯特·H·M·范费尔德温 .

中国专利 :CN102564468B ,2012-07-11

[8]

磁场传感器 [P].

奥特马尔·莫德斯特 .

中国专利 :CN100541203C ,2006-11-01

[9]

磁场传感器 [P].

C·保陶克 ;

S·魏斯 ;

F·恩吉卡姆恩吉蒙齐 ;

F·沙茨 ;

P·法贝尔 ;

C·比尔霍夫 .

中国专利 :CN102648421A ,2012-08-22

[10]

磁场传感器 [P].

M·莫尔比 ;

M·韦布勒 .

中国专利 :CN100578157C ,2008-03-19

← 1 2 3 4 5 →